[实用新型]一种高压整流管芯片

权利要求书

1.一种高压整流管芯片，其特征在于：包括结构为P⁺PNN⁺的高压整流管芯片晶片（1）；晶片（1）双面有蒸发形成的铝层（2）；晶片（1）的边缘侧面为由磨角造型、台面腐蚀形成的台面；晶片（1）的上、下边缘及台面处设有环形圆柱形保护胶（3）；晶片（1）的直径为38~150mm。

2.根据权利要求1所述的一种高压整流管芯片，其特征在于：所述的晶片（1）的直径为80~150mm。

3.一种高压整流管芯片，其特征在于：包括结构为P⁺PNN⁺的高压整流管芯片晶片（1）；晶片（1）的一面有蒸发形成的铝层（2），另一面有通过铝箔（4）高温烧结连接的钼片（5）；晶片（1）的边缘侧面为由磨角造型、台面旋转腐蚀形成的台面；晶片（1）的台面处设有环形圆柱形保护胶（3）；晶片（1）的直径为30~100mm。

4.根据权利要求3所述的一种高压整流管芯片，其特征在于：所述的晶片（1）的直径为30~77mm。

5.根据权利要求1、2、3或4所述的一种高压整流管芯片，其特征在于：所述的晶片（1）的N区为N型硅单晶材质的N型层，P区为铝掺杂扩散所形成的P型层，N⁺区为磷扩散所形成的N⁺型层，P⁺区为涂B源扩散及推进所形成的P⁺型层。

6.根据权利要求5所述的一种高压整流管芯片，其特征在于：所述的N型层电阻率为250~450Ω.cm，厚度为600~1100μm；P型层浓度方块电阻为30~300Ω/□，结深为80~150μm；P⁺型层浓度为0.2~8Ω/□，结深为20~50μm ；N⁺型层浓度为0.1~3Ω/□，结深为10~30μm。