[实用新型]一种SIM卡与SD卡共卡槽防烧卡电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及移动终端卡槽电路领域，尤其涉及一种SIM卡与SD 卡共卡槽防烧卡电路。

背景技术

目前市场上的移动终端设备比较流行SIM卡与SD卡共卡槽结构，且SIM卡在内，SD卡在外，由于这种卡槽结构设计，在拔插过程中，由于SD卡卡槽电路未及时下电，SIM卡碰到SD卡电源脚会有低概率烧毁SIM卡的现象。

实用新型内容

本实用新型的目的是针对上述现有技术存在的缺陷，提供一种SIM卡与SD 卡共卡槽防烧卡电路。

本实用新型提出的SIM卡与SD 卡共卡槽防烧卡电路，包括：串联的第一MOS管Q1和第二MOS管Q2，第一MOS管Q1分别与SD、SIM卡插拔状态检测引脚EINT连接和通过第一电阻R1与手机内部电源端VIO18_PMU连接， 第二MOS管Q2分别与SD卡供电电源端VMCH_PMU和SD卡电源接口SD-POWER连接，第一、第二MOS管Q1、Q2根据SD、SIM卡插拔状态检测引脚EINT的电平导通或截止来控制SD卡供电电源端VMCH_PMU和SD卡电源接口SD-POWER之间的的导通和隔离。

在一实施例中，当未插入SIM卡前SD、SIM卡插拔状态检测引脚EINT被预设置为高电平时，第一电阻R1连接在手机内部电源端VIO18_PMU与第一MOS管Q1的栅极之间，第一MOS管Q1的源极与所述检测引脚EINT连接，第一MOS管Q1的漏极同时与第二电阻R2的一端及第二MOS管Q2的栅极连接，第二电阻R2的另一端同时与SD卡供电电源端VMCH_PMU及第二MOS管Q2的源极连接，第二MOS管Q2的漏极与SD卡电源接口SD-POWER连接。

在第二实施例中，当未插入SIM卡前SD、SIM卡插拔状态检测引脚EINT被预设置为低电平时，第一电阻R1的一端与手机内部电源端VIO18_PMU连接，另一端同时与第一MOS管Q1的栅极和所述检测引脚EINT连接，第一MOS管Q1的源极接地，漏极同时与第二电阻R2的一端及第二MOS管Q2的栅极连接，第二电阻R2的另一端同时与SD卡供电电源端VMCH_PMU及第二MOS管Q2的漏极连接，第二MOS管Q2的源极与SD卡电源接口SD-POWER连接。

所述MOS管Q1为N-MOS管，MOS管Q2为P-MOS管。

与现有技术相比，本实用新型根据所述SD、SIM卡插拔状态检测引脚EINT电压判断SD卡的插拔状态；根据所述SD卡的插拔状态控制SD卡的电源通断，通过简单电路来控制SD卡的电源的打开或关闭，解决了因SD卡电源未断开而导致的SIM卡烧卡的问题，提升了用户体验。

附图说明

图1为本实用新型卡托示意图；

图2为本实用新型实施例一的电路图；

图3为本实用新型实施例二的电路图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对实用新型进行详细的说明。

本实用新型适用于如图1所示的卡托，卡托内设置有卡槽，同时供SIM卡和SD插入，由于SIM、SD共卡槽，SIM、SD共用一个插拔状态的检测引脚EINT，所以当SIM插入时也会激活SD卡供电电路，对SD卡进行供电，且SD卡位于SIM卡的外侧，这经常导致SIM卡被烧毁，主要包括以下四种情况：

1、拔出卡托的时候，SIM卡会经过SD卡供电电源端VMCH_PMU的位置，由于SD 卡不能及时下电，可能会烧毁SIM卡；

2、开机过程有短暂时间SD卡供电电源端VMCH_PMU默认是打开的，此时插入SIM卡可能会烧毁SIM卡；

3、半插入SIM卡后按开机键，开机过程有短暂时间SD卡供电电源端VMCH_PMU默认是打开的，可能会烧毁SIM卡；

4、卡托未放入SD卡(仅放入SIM卡)，插入卡托后仍会激活SD卡检测引脚EINT，系统会打开SD卡供电电源端VMCH_PMU，此时拔出卡托可能会烧毁SIM卡。

综上，给SD卡供电的电源可能会导致SIM卡烧毁，本实用新型提供了一种SIM卡与SD 卡共卡槽防烧卡电路，将手机内部电源端VIO18_PMU、SD卡供电电源端VMCH_PMU与SD卡电源接口SD-POWER隔离，并根据SD卡的插拔状态控制SD卡的电源通断，解决了因SD卡电源未断开而导致的SIM卡烧卡的问题，提升了用户体验。