[实用新型]一种SIM卡与SD卡共卡槽防烧卡电路有效
| 申请号： | 201621179894.6 | 申请日： | 2016-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN206212067U | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 黄子恺;李高 | 申请（专利权）人： | 硕诺科技（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H04M1/02 | 分类号： | H04M1/02 |
| 代理公司： | 深圳市康弘知识产权代理有限公司44247 | 代理人： | 胡朝阳,尹彦 |
| 地址： | 518000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sim sd 卡共卡槽防烧卡 电路 | ||
1.一种SIM卡与SD 卡共卡槽防烧卡电路，其特征在于，包括串联的第一MOS管Q1和第二MOS管Q2，第一MOS管Q1分别与SD、SIM卡插拔状态检测引脚EINT连接和通过第一电阻R1与手机内部电源端VIO18_PMU连接， 第二MOS管Q2分别与SD卡供电电源端VMCH_PMU和SD卡电源接口SD-POWER连接，第一、第二MOS管Q1、Q2根据SD、SIM卡插拔状态检测引脚EINT的电平导通或截止来控制SD卡供电电源端VMCH_PMU和SD卡电源接口SD-POWER之间的的导通和隔离。
2.如权利要求1所述的电路，其特征在于，当未插入SIM卡前SD、SIM卡插拔状态检测引脚EINT被预设置为高电平时，第一电阻R1连接在手机内部电源端VIO18_PMU与第一MOS管Q1的栅极之间，第一MOS管Q1的源极与所述检测引脚EINT连接，第一MOS管Q1的漏极同时与第二电阻R2的一端及第二MOS管Q2的栅极连接，第二电阻R2的另一端同时与SD卡供电电源端VMCH_PMU及第二MOS管Q2的源极连接，第二MOS管Q2的漏极与SD卡电源接口SD-POWER连接。
3.如权利要求1所述的电路，其特征在于，当未插入SIM卡前SD、SIM卡插拔状态检测引脚EINT被预设置为低电平时，第一电阻R1的一端与手机内部电源端VIO18_PMU连接，另一端同时与第一MOS管Q1的栅极和所述检测引脚EINT连接，第一MOS管Q1的源极接地，漏极同时与第二电阻R2的一端及第二MOS管Q2的栅极连接，第二电阻R2的另一端同时与SD卡供电电源端VMCH_PMU及第二MOS管Q2的漏极连接，第二MOS管Q2的源极与SD卡电源接口SD-POWER连接。
4.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一MOS管Q1为NMOS管，第二MOS管Q2为PMOS管。
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