[实用新型]一种晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构有效
申请号: | 201621171675.3 | 申请日: | 2016-10-26 |
公开(公告)号: | CN206148442U | 公开(公告)日: | 2017-05-03 |
发明(设计)人: | 王举亮;郭永刚;屈小勇;倪玉凤;吴翔 | 申请(专利权)人: | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 上海硕力知识产权代理事务所31251 | 代理人: | 郭桂峰 |
地址: | 710100 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳电池 二次 印刷 正面 电极 结构 | ||
技术领域
本实用新型晶硅太阳电池技术领域,尤其涉及一种晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构。
背景技术
太阳能光伏产业的迅速发展,需要不断降低生产成本,提高晶硅太阳电池的转换效率,提高发电量。
晶体硅太阳电池是将太阳能转化成电能的半导体器件,器件的大小和正面栅线遮光面积直接决定最终的发电功率,为了获得更高的电池转换效率,需要印刷更细的副栅线,减少遮光面积,提高电流,从而提高晶硅太阳电池转换效率。
在晶硅太阳电池的生产中,正面电极的图形根据工艺水平,需要不断的优化改进,降低遮光面积,提高转换效率,因此,有必要对晶硅太阳电池的正面电极网版进行改进。
实用新型内容
本实用新型提出了一种晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构,可降低晶体硅太阳电池正面栅线遮光面积,提高电池的转换效率。
本实用新型提供如下技术方案:
一种晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构,设置在晶硅太阳电池的正面,所述电极结构包括第一层网版和第二层网版,其中,所述第一层网版包括第一网框,所述第一网框内设置第一网布,所述第一网布上设置若干根相互平行设置的主栅线,所述主栅线上设置第一Mark点,所述主栅线与所述第一网布的钢丝形成第一夹角,所述第一夹角为20°至30°;所述第二层网版包括第二网框,所述第二网框内设置第二网布,所述第二网布上设置若干根相互平行设置的副栅线,所述副栅线上设置第二Mark点,且所述副栅线之间间隔且垂直设置防EL断栅,所述副栅线与所述第二网布的钢丝形成第二夹角,所述第二夹角为90°,所述第二Mark点与所述第一Mark点位置对应。
优选的,在上述的晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构中,所述第一Mark点数量为4个、6个或8个,直径在0.2至1.2mm。
优选的,在上述的晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构中,所述主栅线的宽度为0.1至1.5mm,所述主栅线的长度为155至165mm,所述主栅线的数量为3至20条。
优选的,在上述的晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构中,所述第二Mark点数量为4个、6个或8个,直径在0.2至1.2mm。
优选的,在上述的晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构中,所述防EL断栅在两根主栅线之间,数量为2至15排。
优选的,在上述的晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构中,所述副栅线的宽度为10至40um,所述副栅线的长度为155至165mm,所述副栅线的数量为90至180条。
优选的,在上述的晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构中,所述第二网布为无网结网布。
优选的,在上述的晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构中,所述晶硅太阳电池的形状为正方片或四角带有圆弧的准方片,其中圆弧的直径大于200mm。
优选的,在上述的晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构中,所述晶硅太阳电池的基材为单晶硅或多晶硅。
附图说明
图1为本实用新型实施例的二次印刷第一层网版示意图;
图2为本实用新型实施例的二次印刷第一层网版局部放大图;
图3为本实用新型实施例的二次印刷第二层网版示意图;
图4为本实用新型实施例的二次印刷第二层网版局部放大图;
图中:100-第一层网版、101-第一网框、102-第一网布、103-主栅线、104-第一Mark点、201-第一夹角、300-第二层网版、301-第二网框、302-第二网布、303-副栅线、304-第二Mark点、305-防EL断栅、401-第二夹角
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本实用新型提出的晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书,本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例,仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的