[实用新型]一种晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构有效
申请号: | 201621171675.3 | 申请日: | 2016-10-26 |
公开(公告)号: | CN206148442U | 公开(公告)日: | 2017-05-03 |
发明(设计)人: | 王举亮;郭永刚;屈小勇;倪玉凤;吴翔 | 申请(专利权)人: | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 上海硕力知识产权代理事务所31251 | 代理人: | 郭桂峰 |
地址: | 710100 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳电池 二次 印刷 正面 电极 结构 | ||
1.一种晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构,设置在晶硅太阳电池的正面,其特征在于,包括第一层网版和第二层网版,其中,
所述第一层网版包括第一网框,所述第一网框内设置第一网布,所述第一网布上设置若干根相互平行设置的主栅线,所述主栅线上设置第一Mark点,所述主栅线与所述第一网布的钢丝形成第一夹角,所述第一夹角为20°至30°;
所述第二层网版包括第二网框,所述第二网框内设置第二网布,所述第二网布上设置若干根相互平行设置的副栅线,所述副栅线上设置第二Mark点,且所述副栅线之间间隔且垂直设置防EL断栅,所述副栅线与所述第二网布的钢丝形成第二夹角,所述第二夹角为90°,所述第二Mark点与所述第一Mark点位置对应。
2.如权利要求1所述的晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构,其特征在于,所述第一Mark点数量为4个、6个或8个,直径在0.2至1.2mm。
3.如权利要求1所述的晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构,其特征在于,所述主栅线的宽度为0.1至1.5mm,所述主栅线的长度为155至165mm,所述主栅线的数量为3至20条。
4.如权利要求1所述的晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构,其特征在于,所述第二Mark点数量为4个、6个或8个,直径在0.2至1.2mm。
5.如权利要求1所述的晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构,其特征在于,所述防EL断栅在两根主栅线之间,数量为2至15排。
6.如权利要求1所述的晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构,其特征在于,所述副栅线的宽度为10至40um,所述副栅线的长度为155至165mm,所述副栅线的数量为90至180条。
7.如权利要求1所述的晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构,其特征在于,所述第二网布为无网结网布。
8.如权利要求1所述的晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构,其特征在于,所述晶硅太阳电池的形状为正方片或四角带有圆弧的准方片,其中圆弧的直径大于200mm。
9.如权利要求1所述的晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构,其特征在于,所述晶硅太阳电池的基材为单晶硅或多晶硅。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的