[实用新型]光罩检测装置有效
| 申请号: | 201621167956.1 | 申请日: | 2016-11-02 |
| 公开(公告)号: | CN206292523U | 公开(公告)日: | 2017-06-30 |
| 发明(设计)人: | 张志强 | 申请(专利权)人: | 艾斯迈科技股份有限公司 |
| 主分类号: | G03F1/84 | 分类号: | G03F1/84 |
| 代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙)31249 | 代理人: | 朱成之,苗绘 |
| 地址: | 中国台湾新北*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 检测 装置 | ||
技术领域
本实用新型是涉及一种光罩检测装置,尤其是涉及一种可对光罩的框架上的防尘膜进行微粒检测,且通过测距后升降调整的方式,对各检测区域精准采集检测影像,以对应产生防尘膜高度信息及检测信息的光罩检测装置。
背景技术
就现有的半导体组件制造技术来说,半导体组件的电路图案是通过光罩将电路图案转印至晶圆的表面上形成的。
换言之,由于半导体组件的微小化,在制造半导体组件的过程中,光罩的缺陷将会大大影响硅晶圆表面之电路图案的质量,例如造成电路图案之扭曲或变形;而,目前最常见的造成光罩缺陷的原因在于光罩的表面附有微粒。
因此,为了维持光罩在使用期间的质量,公知技术中光罩的表面上设置一种光罩保护薄膜(pellicle),用以防止微粒掉落在光罩表面:然而,光罩保护膜的构造中所包含防尘膜在设置过程中,可能会被微粒附着,进而恐具有光罩在作业或运送途中,位于防尘膜上的微粒掉落在光罩表面的风险。
承上述,如何在光罩的使用之前,将光罩保护薄膜的防尘膜上的微粒检测出来,将是该相关产业亟需思考并解决的一大课题。
实用新型内容
有鉴于上述公知的问题,本实用新型的目的在于提供一种光罩检测装置,用以解决公知技术中所面临的问题。
基于上述目的,本实用新型提供一种光罩检测装置,其包含检测基座、移动平台、转动平台、承载平台、激光测距模块、垂直位移模块、处理模块及影像采集模块。检测基座的一面上设有支架。沿检测基座作第一方向位移的移动平台设于检测基座之的一面上,且位于检测基座及支架之间。沿移动平台作与第一方向垂直的第二方向位移的转动平台设于移动平台上。承载平台设于转动平台的一面上,承载平台承载光罩,光罩包含基板、框架及防尘膜,框架设于基板的一面上,防尘膜设于框架上。对应防尘膜的其中一个检测区域产生测距信号的激光测距模块设于支架一侧距模块。垂直位移模块设于支架的一侧。根据测距信号控制垂直位移模块升降的处理模块连结激光测距模块及垂直位移模块。于垂直位移模块升降后,采集由激光测距模块所测量的检测区域的检测影像的影像采集模块连结处理模块,且相邻激光测距模块而设置于垂直位移模块上。其中,当影像采集模块采集其中一个检测区域的检测影像后,移动平台将下一个检测区域移至对应激光测距模块及影像采集模块的位置,以产生下一个检测区域的测距信号及检测影像,处理模块根据多个测距信号产生防尘膜高度信息,且根据各检测影像产生检测信息。
较佳地,移动平台可包含转动平台沿着位移的导轨。
较佳地,检测信息可包含微粒位置、微粒尺寸或其组合。
承上所述,本实用新型之光罩检测装置于影像采集模块在采集其中一个检测区域的检测影像之前,先通过激光测距模块对检测区域进行测量,待设有影像采集模块的垂直位移模块根据测距信号升降后,影像采集模块再对该检测区域进行检测影像的采集;以达到精密检测之目的,且具有提升后续的微缩制程良率的效果。
附图说明
图1为本实用新型的光罩检测装置的示意图。
图2为本实用新型的光罩检测装置的方块图。
图3为本实用新型的光罩检测装置的光罩的第一示意图。
图4为本实用新型的光罩检测装置的光罩的第二示意图。
图5为本实用新型的光罩检测装置的检测流程图。
具体实施方式
为利贵审查员了解本实用新型的特征、内容与优点及其所能达成的效果,兹将本实用新型配合附图,并以实施例的表达形式详细说明如下,而其中所使用的附图,其主旨仅为示意及辅助说明书之用,未必为本实用新型实施后的真实比例与精准配置,故不应就所附的附图的比例与配置关系解读、局限本实用新型于实际实施上的权利范围。
本实用新型的优点、特征以及达到的技术方法将参照例示性实施例及所附附图进行更详细地描述而更容易理解,且本实用新型或可以不同形式来实现,故不应被理解仅限于此处所陈述的实施例,相反地,对所属技术领域具有通常知识者而言,所提供的实施例将使本实用新型公开更加透彻与全面且完整地传达本实用新型的范畴,且本实用新型将仅为所附加的权利要求所定义。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备





