[实用新型]一种合路器及天线装置有效

专利信息
申请号: 201621165028.1 申请日: 2016-10-25
公开(公告)号: CN206236769U 公开(公告)日: 2017-06-09
发明(设计)人: 曹建伟;吴坚华 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: H01P1/213 分类号: H01P1/213;H01Q1/52
代理公司: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 代理人: 罗振安
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 合路器 天线 装置
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及通信领域,尤其涉及一种合路器及天线装置。

背景技术

合路器可以将多路不同频率的信号合到同一出口输出的器件。合路器可以应用于天线中,常常集成在天线中。天线通常会接收不同频率的信号,利用自身集成的合路器将不同频率的信号从同一出口一一输出。

参见图1,目前存在一种合路器,该合路器包括金属壳1、PCB(Printed Circuit Board,印制电路板)2、铜箔3和金属柱4。PCB2、铜箔3和金属柱4位于金属壳1内,金属柱4固定在金属壳1的底部上,PCB2固定在金属壳1的顶部上,铜箔3固定在PCB2上,且存在部分区域与金属柱4的端面相对,该部分区域和金属柱4的端面形成电容结构。天线在接收到不同频率的信号后将不同频率的信号输入到合路器,不同频率的信号在合路器上一一传输。对于任一频率的信号,该信号中混杂有其他频率的信号,当该信号流过铜箔3上与金属柱4的端面相对的部分区域时,该部分区域与金属柱4的端面形成的电容结构过滤该信号中混杂的其他频率的信号,以将该信号与其他频率的信号隔离,并从合路器的出口输出。

在实现本实用新型的过程中,发明人发现现有技术至少存在以下问题:

由于金属柱3的端面面积较小,导致该端面和铜箔3的部分区域形成的电容结构的体积较小,从而导致该电容结构的电容强度较小,只能过滤掉该信号中混杂的一部分其他频率的信号,不能将该信号与其他频率的信号隔离开,使得合路器的隔离度较低。

实用新型内容

为了在合路器的体积不变情况下提高合路器的隔离度,本实用新型提供了一种合路器及天线装置。

一方面,本申请的实施例提供了一种合路器,所述合路器包括:导电壳体、印制电路板PCB、导电柱、第一导电体;所述PCB、所述导电柱、所述第一导电体位于所述导电壳体内;所述导电柱的一端固定在所述导电壳体的底部,所述PCB固定在所述导电壳体的顶部,所述第一导电体固定在所述PCB上;所述第一导电体与所述导电柱的轴向平行,且所述第一导电体的侧面存在部分区域与所述导电柱相对。这样可以使所述第一导电体与所述导电柱的侧面等部分相对,由于所述导电柱的侧面等部分的面积大于所述导电柱的端部面积,可以增大所述第一导电体的侧面与所述导电柱之间形成的电容结构,提高了所述电容结构的电容强度,进而在合路器的体积不变的情况下提高了合路器的隔离度。另外,可以通过改变所述第一导电体的大小,可以灵活改变所述第一导电体与所述导电柱之间形成的电容结构的电容强度。

在一个可能的设计中,所述第一导电体的结构为筒形结构,所述第一导电体的一端固定在所述PCB上,所述第一导电体的内侧面和外侧面中的至少一者存在部分区域与所述导电柱相对。筒形结构的第一导电体,可以使所述第一导电体的内侧面和/或外侧面与所述导电柱相对,这样可以增大所述第一导电体的侧面与所述导电柱之间形成的电容结构。

在一个可能的设计中,所述合路器还包括:第二导电体;所述第二导电体固定在所述第一导电体的内侧面上,所述第二导电体的一侧面存在部分区域与所述导电柱的另一端端面相对。这样不仅有所述第一导电体存在部分区域与所述导电柱相对,还有所述第二导电体存在部分区域与所述导电柱相对,进一步增大了在合路器中形成的电容结构,从而在合路器的体积不变的情况下进一步地提高了合路器的隔离度。

在一个可能的设计中,所述导电柱的另一端端面上设有筒形凹槽,所述第一导电体的另一端伸入所述筒形凹槽内。由于所述导电柱的另一端端面上设有筒形凹槽,将所述导电柱的另一端分成位于所述筒形凹槽内的柱心部分和位于所述筒形凹槽外的外围部分;又由于所述第一导电体的另一端伸入所述筒形凹槽内,这样不仅有所述第一导电体的内侧面存在部分区域与所述柱心部分相对,还有所述第一导电体的外侧面存在部分区域与所述外围部分相对,进一步增大了所述第一导电体与所述导电柱之间形成的电容结构,进而在合路器的体积不变的情况下进一步地提高了合路器的隔离度。

在一个可能的设计中,所述第一导电体的结构为片状结构,所述第一导电体的上边缘固定在所述PCB上;所述导电柱的另一端端面上设有凹槽,所述第一导电体的下边缘伸入所述凹槽内。这样所述第一导电体的一侧面存在部分区域与所述柱心部分相对,所述第一导电体的另一侧面还存在部分区域与所述外围部分相对,进一步增大了所述第一导电体与所述导电柱之间形成的电容结构,进而在合路器的体积不变的情况下进一步地提高了合路器的隔离度。

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