[实用新型]一种适合薄片化的N型PERT双面电池结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种适合薄片化(硅片厚度170微米及以下)的N型PERT双面电池结构。

背景技术

太阳能光伏发电因其清洁、安全、便利、高效等特点，已成为世界各国普遍关注和重点发展的新兴产业。因此，深入研究和利用太阳能资源，对缓解资源危机、改善生态环境具有十分重要的意义。

N型PERT电池和传统P型电池结构相近，被认为与传统常规产线工艺和设备兼容性最高的N型高效电池，因为其具有N型电池特有的低光致衰减(LID，Light Induces Degradation)、高的体少子寿命、对金属离子污染容忍度高等优势，且转化效率高而且适合制作双玻组件的特点，是当今国际研究和产业化的前沿。

以常规N型PERT双面电池为例，如图1所示，N型PERT双面电池的基本结构包括：N型硅片基体100，硅片基体的正表面由内到外依次是p+掺杂层101、氧化硅钝化层102、氮化硅减反射层103及正电极105；硅片基体的背面由内到外依次是n+掺杂层104、氧化硅钝化层102、氮化硅减反射层103及负电极106。

常规制作N型PERT双面电池的工艺流程大致为：去损伤层&制绒－硼扩散形成p+层－背面抛光&去BSG－背面离子注入形成n+层－氧化&退火－双面淀积氮化硅－双面印刷共烧－测试&分选。

以上是制作N型PERT双面电池的典型工艺步骤，该工艺一般采用190微米左右的N型硅片生产的PERT双面电池目前平均转化效率只有20.5％左右。随着硅片薄片化发展，采用该结构该工艺生产的N型PERT双面电池效率会持续降低。此外，由于正面电极采用银铝浆与p+层形成欧姆接触，银铝浆料电导率比银浆差，所以正面栅线要求宽度大(副栅线烧结后宽度通常在50微米以上)，而且银铝浆在与硅片接触区域会形成严重复合，这些限制了电池效率的进一步提高，影响了N型PERT双面电池的发展。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种适合薄片化的N型PERT双面电池结构，以提高N型PERT双面电池的效率，简化制备工艺。

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案如下：

一种适合薄片化的N型PERT双面电池结构，包括：

硅片基体；

n+轻掺杂层，形成在所述硅片基体的正面；

n++重掺杂区，选择性形成在所述n+轻掺杂层中；

第一钝化减反层，形成在所述n+轻掺杂层上；

负电极，引出于所述n++重掺杂区；

p+掺杂层，形成在所述硅片基体的背面；

第二钝化减反层，形成在所述p+掺杂层上；

正电极，引出于所述p+掺杂层。

在本实用新型的一个实施例中，所述硅片基体的厚度小于等于170微米。

在本实用新型的一个实施例中，所述第一钝化减反层包括第一钝化层以及位于所述第一钝化层上的第一减反层，所述第一钝化层与所述第一减反层通过热氧化或臭氧紫外氧化与化学沉积方法结合一次性形成，或者通过化学气相淀积方法一次性形成。

在本实用新型的一个实施例中，所述第二钝化减反层包括第二钝化层以及位于所述第二钝化层上的第二减反层，所述第二钝化层与所述第二减反层通过化学气相淀积方法一次性形成。

在本实用新型的一个实施例中，所述第一钝化减反层为SiO₂/SiN_x或SiO₂/SiN_x/SiON_x叠层膜。

在本实用新型的一个实施例中，所述第二钝化减反层为AlO_x/SiN_x或SiO₂/AlO_x/SiN_x或SiO₂/SiN_x/SiN_x或AlO_x/SiN_x/SiON_x或SiO₂/AlO_x/SiN_x/SiON_x或SiO₂/SiN_x/SiN_x/SiON_x叠层膜。