[实用新型]一种适合薄片化的N型PERT双面电池结构

权利要求书

1.一种适合薄片化的N型PERT双面电池结构，其特征在于，包括：

硅片基体；

n+轻掺杂层，形成在所述硅片基体的正面；

n++重掺杂区，选择性形成在所述n+轻掺杂层中；

第一钝化减反层，形成在所述n+轻掺杂层上；

负电极，引出于所述n++重掺杂区；

p+掺杂层，形成在所述硅片基体的背面；

第二钝化减反层，形成在所述p+掺杂层上；

正电极，引出于所述p+掺杂层。

2.如权利要求1所述的适合薄片化的N型PERT双面电池结构，其特征在于，所述硅片基体的厚度小于等于170微米。

3.如权利要求1所述的适合薄片化的N型PERT双面电池结构，其特征在于，所述第一钝化减反层包括第一钝化层以及位于所述第一钝化层上的第一减反层，所述第一钝化层与所述第一减反层通过热氧化或臭氧紫外氧化与化学沉积方法结合一次性形成，或者通过化学气相淀积方法一次性形成。

4.如权利要求1或3所述的适合薄片化的N型PERT双面电池结构，其特征在于，所述第二钝化减反层包括第二钝化层以及位于所述第二钝化层上的第二减反层，所述第二钝化层与所述第二减反层通过化学气相淀积方法一次性形成。

5.如权利要求1所述的适合薄片化的N型PERT双面电池结构，其特征在于，所述第一钝化减反层为SiO₂/SiN_x或SiO₂/SiN_x/SiON_x叠层膜。

6.如权利要求1或5所述的适合薄片化的N型PERT双面电池结构，其特征在于，所述第二钝化减反层为AlO_x/SiN_x或SiO₂/AlO_x/SiN_x或SiO₂/SiN_x/SiN_x或AlO_x/SiN_x/SiON_x或SiO₂/AlO_x/SiN_x/SiON_x或SiO₂/SiN_x/SiN_x/SiON_x叠层膜。

7.如权利要求1所述的适合薄片化的N型PERT双面电池结构，其特征在于，所述第一钝化减反层为SiO₂/Si₃N₄/SiON_x叠层膜，其中SiO₂膜的厚度为10nm－40nm，折射率为1.3－1.5；Si₃N₄膜的厚度为30nm－80nm，折射率为1.8－2.2；SiON_x膜的厚度为10nm－50nm，折射率为1.5－2.0。

8.如权利要求1或7所述的适合薄片化的N型PERT双面电池结构，其特征在于，所述第二钝化减反层为Al₂O₃/Si₃N₄叠层膜，其中Al₂O₃膜的厚度为10nm－50nm，折射率为1.3－1.7；Si₃N₄膜的厚度为30nm－150nm，折射率为1.8－2.2。

9.如权利要求1所述的适合薄片化的N型PERT双面电池结构，其特征在于，所述正电极包括第一主栅线及第一副栅线，所述第一副栅线的宽度为30μm－100μm，所述第一副栅线的数量为60根－150根；所述负电极包括第二主栅线及第二副栅线，所述第二副栅线的宽度为25μm－70μm，所述第二副栅线的数量为80根－150根。