[实用新型]一种光电信号转换处理装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及光电转换技术领域，具体为一种光电信号转换处理装置。

背景技术

光敏电阻又称光导管，光敏电阻器一般用于光的测量、光的控制和光电转换(将光的变化转换为电的变化)。常用的光敏电阻器硫化镉光敏电阻器，它是由半导体材料制成的。光敏电阻器的阻值随入射光线(可见光)的强弱变化而变化，在黑暗条件下，它的阻值(暗阻)可达1-10M欧,在强光条件(100LX)下，它阻值(亮阻)仅有几百至数千欧姆。光敏电阻器对光的敏感性(即光谱特性)与人眼对可见光(0.4-0.76)微米的响应很接近，只要人眼可感受的光，都会引起它的阻值变化。设计光控电路时，都用白炽灯泡(小电珠)光线或自然光线作控制光源，使设计大为简化。

现有的光敏电阻在整个基板上均涂覆了光敏层，因此对光敏层所用材料造成了浪费，由于一般光敏层所用材料为镉化物，当在整个基板表面涂覆光敏层时，该光敏电阻的镉含量通常将达到几千ppm，也不利于环保。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种光电信号转换处理装置，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种光电信号转换处理装置,包括金属基座，所述金属基座上方设有金属壳体，所述金属基座内部下方设有陶瓷基板，所述陶瓷基板的上方设有半导体光敏层，所述半导体光敏层上方左侧设有正电极，所述半导体光敏层上方右侧设有负电极，所述金属基座下方左侧设有正电极引脚，所述正电极引脚贯穿金属基座内部的陶瓷基板和半导体光敏层，且延伸至正电极的上方，所述金属基座下方右侧设有负电极引脚，所述负电极引脚贯穿金属基座内部的陶瓷基板和半导体光敏层，且延伸至负电极的上方。

优选的，所述金属壳体的外表面设有防潮膜，所述正电极和正电极引脚电性连接，所述负电极和负电极引脚电性连接。

优选的，所述半导体光敏层的面积小于陶瓷基板的面积，所述金属基座的外表面均设有环氧型树脂层。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本光电信号转换处理装置，在金属壳体内部的陶瓷基板上设有小于陶瓷基板面积的半导体光敏层，节省了光敏电阻的制作材料，同时，减少的半导体光敏层涂覆空间也减少了正电极和负电极设置所需要的材料，有效提高了光敏电阻的环保水平。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图；

图2为本实用新型俯视结构示意图。

图中：1金属基座、2陶瓷基板、3半导体光敏层、4正电极、5金属壳体、6负电极、7防潮膜、8负电极引脚、9正电极引脚。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1-2，本实用新型提供一种技术方案：一种光电信号转换处理装置,包括金属基座1，所述金属基座1上方设有金属壳体5，所述金属基座1内部下方设有陶瓷基板2，所述陶瓷基板2的上方设有半导体光敏层3，所述半导体光敏层3上方左侧设有正电极4，所述半导体光敏层3上方右侧设有负电极6，所述金属基座1下方左侧设有正电极引脚9，所述正电极引脚9贯穿金属基座1内部的陶瓷基板2和半导体光敏层3，且延伸至正电极4的上方，所述金属基座1下方右侧设有负电极引脚8，所述负电极引脚8贯穿金属基座1内部的陶瓷基板2和半导体光敏层3，且延伸至负电极6的上方，所述金属壳体5的外表面设有防潮膜7，所述正电极4和正电极引脚9电性连接，所述负电极6和负电极引脚8电性连接，所述半导体光敏层3的面积小于陶瓷基板2的面积，所述金属基座1的外表面均设有环氧型树脂层。

工作原理：在金属壳体5内部的陶瓷基板2上设有小于陶瓷基板2面积的半导体光敏层3节省了光敏电阻的制作材料，同时，减少的半导体光敏层3涂覆空间也减少了正电极4和负电极5设置所需要的材料，有效提高了光敏电阻的环保水平。其中金属壳体5的外表面设有防潮膜7可防止雨水进入。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。