[实用新型]一种光电信号转换处理装置有效
| 申请号: | 201621134984.3 | 申请日: | 2016-10-18 |
| 公开(公告)号: | CN206134699U | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
| 发明(设计)人: | 秦炎福 | 申请(专利权)人: | 安徽科技学院 |
| 主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/0203 |
| 代理公司: | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙)32231 | 代理人: | 翁斌 |
| 地址: | 233100 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 光电 信号 转换 处理 装置 | ||
1.一种光电信号转换处理装置,包括金属基座(1),其特征在于:所述金属基座(1)上方设有金属壳体(5),所述金属基座(1)内部下方设有陶瓷基板(2),所述陶瓷基板(2)的上方设有半导体光敏层(3),所述半导体光敏层(3)上方左侧设有正电极(4),所述半导体光敏层(3)上方右侧设有负电极(6),所述金属基座(1)下方左侧设有正电极引脚(9),所述正电极引脚(9)贯穿金属基座(1)内部的陶瓷基板(2)和半导体光敏层(3),且延伸至正电极(4)的上方,所述金属基座(1)下方右侧设有负电极引脚(8),所述负电极引脚(8)贯穿金属基座(1)内部的陶瓷基板(2)和半导体光敏层(3),且延伸至负电极(6)的上方。
2.根据权利要求1所述的一种光电信号转换处理装置,其特征在于:所述金属壳体(5)的外表面设有防潮膜(7),所述正电极(4)和正电极引脚(9)电性连接,所述负电极(6)和负电极引脚(8)电性连接。
3.根据权利要求1所述的一种光电信号转换处理装置,其特征在于:所述半导体光敏层(3)的面积小于陶瓷基板(2)的面积,所述金属基座(1)的外表面均设有环氧型树脂层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





