[实用新型]双路电压缓冲电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种双路电压缓冲电路。

背景技术

电子电路如模数转换电路中经常需要缓冲两路信号，提高输出的驱动能力，现有技术中，需要使用专门的缓冲芯片，当用户 需求比较单一时，容易造成资源浪费。

发明内容

为了解决上述技术问题，本实用新型的目的是提供一种双路电压缓冲电路。

本实用新型所采用的技术方案是：一种双路电压缓冲电路，其包括高电压信号输入端、高电压输出端、低电压信号输入端、低电压输出端、第一运算放大器、第二运算放大器，第一MOS管、第二MOS管，第一电流源、电流复用支路，所述第一运算放大器的正输入端与所述高电压信号输入端连接，其输出端与所述第一MOS管的栅极连接，其负输入端与所述第一MOS管的源极连接，所述第一MOS管的源极与所述高电压输出端连接；所述第二运算放大器的正输入端与所述低电压信号输入端连接，其输出端与所述第二MOS管的栅极连接，其负输入端与所述第二MOS管的源极连接，所述第二MOS管的漏极与所述第一MOS管的漏极连接，所述第二MOS管的源极与所述第一电流源的负极连接，所述第一电流源的正极与地连接，所述第二MOS管的源极与所述低电压输出端连接；所述电流复用支路分别与所述第一MOS管的源极以及所述第二MOS管的漏极连接，所述复用电路为第一MOS管提供电源。

进一步，所述电流复用支路包括第三MOS管和第一电源，所述第三MOS管的栅极分别与所述第一MOS管的漏极以及第二MOS管的源极连接，其漏极与所述第一MOS管的源极连接，其源极与所述第一电源连接。

进一步，所述第一MOS管为PMOS管，所述第二MOS管为NMOS管。

进一步，所述第三MOS管为PMOS管。

进一步，所述电流复用支路包括第二电源、第三电源以及第二电流源，所述第二电源与第二电流源的负极连接，所述第二电流源的正极与所述第一MOS管的源极连接，所述第三电流源与所述第二MOS管的漏极连接。

进一步，所述第二电源与所述第三电源为同一电源。

本实用新型的有益效果是：本实用新型通过运算放大器高增益，MOS管构成的负反馈回路保证了缓冲后的电压和输入的电压一致。任何输出的变化都会被负反馈回路放大，因此输出的变化很小，输出的阻抗非常小，具有简化电路设计、节省成本的优点。

本实用新型通过MOS管构成电流复用支路，实现输出级电流的复用，从而降低了功耗。

附图说明

下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步说明：

图1是本实用新型一具体实施例的电路原理图；

图2是本实用新型另一具体实施例的电路原理图。

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

实施例1

如图1所示，一种双路电压缓冲电路，其包括高电压信号输入端VREFP、高电压输出端VOUTP、低电压信号输入端VREFN、低电压输出端VOUTN、第一运算放大器OP1、第二运算放大器OP2，第一MOS管M1、第二MOS管M2，第一电流源I1、电流复用支路，所述第一运算放大器OP1的正输入端与所述高电压信号输入端VREFP连接，其输出端与所述第一MOS管M1的栅极连接，其负输入端与所述第一MOS管M1的源极连接，所述第一MOS管M1的源极与所述高电压输出端VOUTP连接，所述第二运算放大器OP2的正输入端与所述低电压信号输入端VREFN连接，其输出端与所述第二MOS管M2的栅极连接，其负输入端与所述第二MOS管M2的源极连接，所述第二MOS管M2的漏极与所述第一MOS管M1的漏极连接，所述第二MOS管M2的源极与所述第一电流源I1的负极连接，所述第一电流源I1的正极与地连接，所述第二MOS管M2的源极与所述低电压输出端VOUTN连接；所述电流复用支路分别与所述第一MOS管M1的源极以及所述第二MOS管M2的漏极连接，所述复用电路为第一MOS管提供电源。

优选的，所述电流复用支路包括第三MOS管M3和第一电源VAA1，所述第三MOS管M3的栅极分别与所述第一MOS管M1的漏极以及第二MOS管M2的源极连接，其漏极与所述第一MOS管M1的源极连接，其源极与所述第一电源VAA1连接，所述第一MOS管M1的漏极与第二MOS管M2的漏极连接。