[实用新型]双路电压缓冲电路有效

专利信息
申请号: 201621123055.2 申请日: 2016-10-14
公开(公告)号: CN206162231U 公开(公告)日: 2017-05-10
发明(设计)人: 刘雄 申请(专利权)人: 广州昌钰行信息科技有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 南京正联知识产权代理有限公司32243 代理人: 顾伯兴
地址: 510635 广东省广州市高新技术产业开发区科学*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 电压 缓冲 电路
【权利要求书】:

1.一种双路电压缓冲电路,其特征在于:其包括高电压信号输入端、高电压输出端、低电压信号输入端、低电压输出端、第一运算放大器、第二运算放大器,第一MOS管、第二MOS管,第一电流源、电流复用支路;

所述第一运算放大器的正输入端与所述高电压信号输入端连接,其输出端与所述第一MOS管的栅极连接,其负输入端与所述第一MOS管的源极连接,所述第一MOS管的源极与所述高电压输出端连接;

所述第二运算放大器的正输入端与所述低电压信号输入端连接,其输出端与所述第二MOS管的栅极连接,其负输入端与所述第二MOS管的源极连接,所述第二MOS管的漏极与所述第一MOS管的漏极连接,所述第二MOS管的源极与所述第一电流源的负极连接,所述第一电流源的正极与地连接,所述第二MOS管的源极与所述低电压输出端连接;

所述电流复用支路分别与所述第一MOS管的源极以及所述第二MOS管的漏极连接,所述复用电路为第一MOS管提供电源。

2.根据权利要求1所述的双路电压缓冲电路,其特征在于:所述电流复用支路包括第三MOS管和第一电源,所述第三MOS管的栅极分别与所述第一MOS管的漏极以及第二MOS管的源极连接,其漏极与所述第一MOS管的源极连接,其源极与所述第一电源连接。

3.根据权利要求1所述的双路电压缓冲电路,其特征在于:所述第一MOS管为PMOS管,所述第二MOS管为NMOS管。

4.根据权利要求2或3任一项所述的双路电压缓冲电路,其特征在于:所述第三MOS管为PMOS管。

5.根据权利要求1所述的双路电压缓冲电路,其特征在于:所述电流复用支路包括第二电源、第三电源以及第二电流源,所述第二电源与第二电流源的负极连接,所述第二电流源的正极与所述第一MOS管的源极连接,所述第三电流源与所述第二MOS管的漏极连接。

6.根据权利要求5所述的双路电压缓冲电路,其特征在于:所述第二电源与所述第三电源为同一电源。

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