[实用新型]一种用于霍尔传感器的抗硬磁干扰结构及智能设备有效
| 申请号： | 201621119949.4 | 申请日： | 2016-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN206117747U | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 王辉 | 申请（专利权）人： | 惠州TCL移动通信有限公司 |
| 主分类号： | H04M1/02 | 分类号： | H04M1/02;H05K9/00;G01D5/12 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 霍尔 传感器 抗硬磁 干扰 结构 智能 设备 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于霍尔传感器的抗硬磁干扰结构，包括设于PCB板(1)上的FPC软电路板(2)，所述FPC软电路板(2)上设有FPC补强钢片(3)，其特征在于：所述FPC补强钢片(3)的表面上贴有一层软磁片(4)。
2.根据权利要求1所述的用于霍尔传感器的抗硬磁干扰结构，其特征在于：所述软磁片(4)包括芯片(5)和包覆在芯片(5)外表面上的绝缘层(6)。
3.根据权利要求2所述的用于霍尔传感器的抗硬磁干扰结构，其特征在于：所述芯片(5)由铁材料制成。
4.根据权利要求1-3任意一项所述的用于霍尔传感器的抗硬磁干扰结构，其特征在于：所述软磁片(4)的厚度为0.12-0.15mm。
5.根据权利要求1-3任意一项所述的用于霍尔传感器的抗硬磁干扰结构，其特征在于：所述软磁片(4)的形状和大小与FPC补强钢片(3)的形状和大小相适配。
6.根据权利要求2-3任意一项所述的用于霍尔传感器的抗硬磁干扰结构，其特征在于：所述芯片(5)的磁导率不小于500K。
7.根据权利要求2所述的用于霍尔传感器的抗硬磁干扰结构，其特征在于：所述绝缘层(6)采用绝缘胶纸。
8.一种智能设备，其特征在于：包括如权利要求1-7任意一项所述的用于霍尔传感器的抗硬磁干扰结构。
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