[实用新型]具有多个流体输送区的喷淋头组件

说明书

背景

技术领域

本公开的实施方式大体涉及一种用于半导体处理装置的喷淋头组件，并且更具体地涉及一种具有用于独立控制从喷淋头组件穿过的流体的多个区域的喷淋头组件。

背景技术

可靠产生亚半微米和更小的特征是下一代超大规模集成(VLSI)和特大规模集成(ULSI)的半导体器件的关键技术挑战之一。然而，随着电路技术的极限推进，收缩尺寸的VLSI和ULSI技术对处理能力有另外需求。在基板上可靠形成栅极结构对VLSI和ULSI成功并且对于继续努力增加电路密度来说是有用的。

随着下一代器件的电路密度增加，互连件(诸如通孔、沟槽、触点、栅极结构和其他特征，以及在它们之间的电介质材料)的宽度减至45nm和32nm尺寸以及更小。为了能够制造下一代器件和结构，通常在半导体芯片中使用三维(3D)特征堆叠。具体来说，鳍式场效应晶体管(FinFET)通常用于在半导体芯片中形成三维(3D)结构。通过以三维而非常规二维的方式布置晶体管，多个晶体管可在集成电路(IC)中非常靠近彼此放置。随着电路密度和堆叠的增加，用以选择性地将后续材料沉积在先前沉积材料上的能力变得重要。控制通过喷淋头组件来输送到基板的流体的能力在辅助来成功制造下一代器件方面变为越来越为有用。

因此，需要一种改进的喷淋头组件。

实用新型内容

在一个实施方式中，在本文中公开一种喷淋头组件。所述喷淋头组件包括面板和底板。面板具有第一侧和第二侧。面板具有多个孔隙，所述多个孔隙被配置成将工艺气体从所述第一侧输送到所述第二侧。底板被定位在面板的第一侧的相邻位置。底板具有多个区域，其中每个区域具有多个孔隙，所述多个孔隙被配置成使惰性气体穿过所述底板来流入限定在所述面板与所述底板之间的气室。惰性气体会与工艺气体在气室中混合。

在另一实施方式中，在本文中公开一种喷淋头组件。所述喷淋头组件包括面板和底板。喷淋头包括第一侧和第二侧。面板具有多个孔隙，所述多个孔隙被配置成将工艺气体从所述第一侧输送到所述第二侧。底板被定位在面板的第一侧的相邻位置，从而在所述面板与所述底板之间限定气室，其中所述底板具有多个区域。每个区域包括导通率控制器组件，所述导通率控制器组件从底板延伸到气室之中。所述导通率控制器组件被配置成控制气室内的工艺气体的导通率。

在另一实施方式中，在本文中公开一种喷淋头组件。所述喷淋头组件包括面板和底板。喷淋头包括第一侧和第二侧。面板具有多个孔隙，所述多个孔隙被配置成将工艺气体从所述第一侧输送到所述第二侧。底板被定位在面板的第一侧的相邻位置，从而在所述面板与所述底板之间限定气室，其中多个气体线路被形成为穿过所述底板开口至所述气室中。多个气体线路在底板中形成多个区域，其中每个区域被配置成将不同量的工艺气体提供到气室。

附图说明

因此，为了能够详细理解本公开的上述特征结构所用方式，上文所简要概述的本公开的更具体的描述可以参考各个实施方式获得，一些实施方式例示出在附图中。然而，应当注意，附图仅仅示出本公开的典型实施方式，并且因此不应视为限制本公开的范围，因为本公开可允许其他等效实施方式。

图1示出根据一个实施方式的具有喷淋头组件之处理腔室。

图2示出根据一个实施方式的图1的气体输送系统。

图3示出根据一个实施方式的具有喷淋头组件之处理腔室。

图4示出根据一个实施方式的具有喷淋头组件之处理腔室。

为了促进理解，已尽可能使用相同元件符号指定各图所共有的相同元件。应预见到，一个实施方式的要素和特征可有利地并入其他实施方式，而无需进一步叙述。

然而，应当注意，附图仅仅示出本公开的示例性的实施方式，并且因此不应视为限制本公开的范围，因为本公开可允许其他等效实施方式。

具体实施方式

图1示出根据一个实施方式的化学气相沉积(CVD)处理腔室100，所述处理腔室具有喷淋头组件112。处理腔室100包括腔室主体102，所述腔室主体具有侧壁104、底部105和盖106。侧壁104和盖106限定内部容积108。基板传送端口110可以形成在侧壁104中，以将基板传送进出内部容积108。