[实用新型]具有多个流体输送区的喷淋头组件有效
申请号: | 201621102233.3 | 申请日: | 2016-09-30 |
公开(公告)号: | CN206441702U | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
发明(设计)人: | A·K·班塞尔;J·C·罗查-阿尔瓦瑞兹;S·巴录佳;S·H·金;T·A·恩古耶 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 流体 输送 喷淋 组件 | ||
1.一种喷淋头组件,包括:
面板,所述面板具有第一侧和第二侧,所述面板具有多个孔隙,所述多个孔隙被配置成将工艺气体从所述第一侧输送到所述第二侧;以及
底板,所述底板被定位在所述面板的所述第一侧的相邻位置,所述底板具有多个区域,其中每个区域具有多个孔隙,所述多个孔隙被配置成使惰性气体穿过所述底板来流入限定在所述面板与所述底板之间的气室,其中所述惰性气体会与工艺气体在所述气室中混合。
2.如权利要求1所述的喷淋头组件,进一步包括:
扩散板,所述扩散板设置在所述面板与所述底板之间。
3.如权利要求1所述的喷淋头组件,其特征在于,所述底板中的所述多个孔隙分成多个区域。
4.如权利要求1所述的喷淋头组件,其特征在于,所述面板中的所述多个孔隙被定位在所述底板中的所述多个区域下方。
5.如权利要求1所述的喷淋头组件,其特征在于,所述惰性气体通过多个气体线路被输送到所述气室,其中每个气体线路包括:
阀,所述阀被配置成将所述气体线路打开和关闭;以及
孔口,所述孔口被配置成控制穿过所述气体线路的所述惰性气体的流率。
6.如权利要求1所述的喷淋头组件,其特征在于,所述底板中形成的所述多个区域对应于所述面板中的多个区域。
7.如权利要求1所述的喷淋头组件,其特征在于,每个区被提供有不同浓度惰性气体。
8.一种喷淋头组件,所述喷淋头组件包括:
面板,所述面板具有第一侧和第二侧,所述面板具有多个孔隙,所述多个孔隙被配置成将工艺气体从所述第一侧输送到所述第二侧;以及
底板,所述底板被定位在所述面板的所述第一侧的相邻位置,从而在所述面板与所述底板之间限定气室,其中所述底板具有多个区域,其中每个区域包括导通率控制器组件,所述导通率控制器组件从所述底板延伸到所述气室之中,所述导通率控制器组件被配置成控制所述气室内的工艺气体的导通率。
9.如权利要求8所述的喷淋头组件,其进一步包括:
扩散板,所述扩散板设置在所述底板与所述面板之间。
10.如权利要求8所述的喷淋头组件,其特征在于,所述面板中的所述多个孔隙对应于所述底板中的多个区。
11.如权利要求8所述的喷淋头组件,其特征在于,所述导通率控制器组件包括:
导通率控制器,所述导通率控制器包括:
轴;以及
板,所述板被耦接到所述轴的端部;以及
电机,所述电机被耦接到所述导通率控制器,所述电机被配置成使所述导通率控制器升高或降低。
12.如权利要求8所述的喷淋头组件,其特征在于,所述导通率控制器控制从所述面板离开的工艺气体的量。
13.如权利要求11所述的喷淋头组件,其特征在于,所述导通率控制器组件进一步包括:
Z形台,所述Z形台被配置成支撑所述电机。
14.如权利要求8所述的喷淋头组件,其特征在于,每个区域包含不同浓度工艺气体。
15.一种喷淋头组件,所述喷淋头组件包括:
面板,所述面板具有第一侧和第二侧,所述面板具有多个孔隙,所述多个孔隙被配置成将工艺气体从所述第一侧输送到所述第二侧;以及
底板,所述底板被定位在所述面板的所述第一侧的相邻位置,从而在所述面板与所述底板之间限定气室,其中多个气体线路被形成为穿过所述底板开口至所述气室中,所述多个气体线路在所述底板中形成多个区域,其中每个区域被配置成将不同量的工艺气体提供到所述气室。
16.如权利要求15所述的喷淋头组件,其进一步包括:
扩散板,所述扩散板设置在所述底板与所述面板之间。
17.如权利要求15所述的喷淋头组件,其特征在于,所述底板中的每个区域对应所述面板中的一个区域。
18.如权利要求15所述的喷淋头组件,其特征在于,所述面板中的所述多个孔隙对应于所述底板中的多个区域。
19.如权利要求15所述的喷淋头组件,其特征在于,每个气体线路输送不同浓度工艺气体。
20.如权利要求15所述的喷淋头组件,其特征在于,所述面板中的所述多个孔隙被定位在所述底板中的每个区域下方。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造