[实用新型]功率器件的终端结构及具有其的功率器件有效
| 申请号： | 201621089981.2 | 申请日： | 2016-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN206148436U | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 郑忠庆;王祝山 | 申请（专利权）人： | 宁波比亚迪半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315800 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 器件 终端 结构 具有 | ||
1.一种功率器件的终端结构，其特征在于，包括：
消耗层；
场限环区域和金属场板，所述场限环区域形成在所述消耗层内，所述金属场板位于所述消耗层和所述场限环区域之上；和
金属引线层，所述金属引线层与所述金属场板连通，且所述金属引线层具有引线裸露部分，所述引线裸露部分可与外部可调电源连接。
2.如权利要求1所述的功率器件的终端结构，其特征在于，还包括：
场氧层，所述场氧层位于所述消耗层和所述场限环区域与所述金属场板之间。
3.如权利要求2所述的功率器件的终端结构，其特征在于，还包括：
第一介质层，所述第一介质层位于所述场氧层与所述金属场板之间，所述场限环区域位于所述消耗层的边缘，所述第一介质层的一部分与所述场限环区域的一部分接触。
4.如权利要求1所述的功率器件的终端结构，其特征在于，还包括：
第二介质层，所述第二介质层位于所述金属场板和所述金属引线层之间，且所述第二介质层上具有通孔，所述金属引线层通过所述通孔与所述金属场板连通。
5.如权利要求4所述的功率器件的终端结构，其特征在于，还包括：
第一保护层，所述第一保护层覆盖除了所述引线裸露部分之外的金属引线层以及部分的所述第二介质层。
6.如权利要求5所述的功率器件的终端结构，其特征在于，还包括：
第二保护层，所述第二保护层位于所述第一保护层之上。
7.如权利要求1所述的功率器件的终端结构，其特征在于，所述消耗层的背面形成有功率器件的发射层和发射电极层。
8.如权利要求1所述的功率器件的终端结构，其特征在于，所述消耗层与所述场限环区域的类型相反。
9.如权利要求1所述的功率器件的终端结构，其特征在于，所述金属场板包括AlSi层，所述金属引线层包括AlSi层。
10.一种功率器件，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的终端结构，所述功率器件为IGBT器件、VDMOS器件或FRD器件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波比亚迪半导体有限公司，未经宁波比亚迪半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201621089981.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
