[实用新型]半导体构件

说明书

相关申请的交叉引用

本申请是Balaji Padmanabhan等人的在2015年7月24日提交的、题目为“SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD OF MANUFACTURE”的临时专利申请号62/196,650的非临时申请，该临时专利申请通过引用完全并入本文，并且在本文为共同的保护主题要求其优先权。

技术领域

本实用新型一般涉及电子器件，更具体地涉及电子器件的半导体结构。

背景技术

在过去，半导体制造商使用硅半导体材料和III-N半导体材料的组合来制造级联器件，例如，与增强型硅器件级联的常开的III-N耗尽型HEMT。使用这种材料组合有助于使用常开的III-N耗尽型器件来实现常闭状态。级联半导体器件已经在Rakesh K.Lal等人的在2013年4月11日发表的美国专利申请公开号2013/0088280A1中进行了描述。

在以不同的半导体基板材料制造出级联器件之后，半导体构件制造商通常会以单独的封装保护硅器件和耗尽型器件并且经由引线框引线将在单独封装内的器件连接在一起以形成级联器件。这种方式的缺点在于：增加封装的数量会增加级联半导体构件的成本并且由于增加的寄生效应(例如，寄生电容和寄生电感)而降低级联器件的性能。

因此，具有级联半导体器件会是有利的。该结构实现起来具有成本效益会是更有利的。

实用新型内容

本实用新型的一个实施例解决的一个技术问题是防止半导体构件的成本和寄生效应的增加。

根据本实用新型的一个方面，提供一种半导体构件，包含：支撑体(102，102A)，具有表面(104)以及与所述支撑体(102，102A)集成于一体且从所述支撑体(102，102A)延伸出的第一引线(110，210)；与所述支撑体(102，102A)相邻且与所述支撑体(102，102A)电隔离的第二引线(108，208)；具有第一部分和第二部分的基板(116)，所述基板(116)接合于所述支撑体(102，102A)；具有第一表面和第二表面的第一半导体芯片(10)，其中第一接合焊盘(18)从所述第一表面的第一部分延伸出，第二接合焊盘(20)从所述第一表面的第二部分延伸出，以及第三接合焊盘(16A，16B)从所述第一表面的第三部分延伸出，所述第二表面接合于所述基板(116)的所述第一部分，其中所述第一半导体芯片(10)由III-N半导体材料配置；具有第一端部和第二端部的第一电互连(134)，所述第一电互连(134)的所述第一端部耦接于所述第一半导体芯片(10)的所述第一接合焊盘(18)，并且所述第一电互连(134)的所述第二端部耦接于所述基板(116)的所述第二部分；与所述第一电互连(134)的所述第二端部接合的第二半导体芯片(50，70)；以及具有第一端部和第二端部的第二电互连(136)，所述第二电互连(136)的所述第一端部与所述第二引线(108)耦接，并且所述第二电互连(136)的所述第二端部与所述第二半导体芯片(70)耦接。

在一个实施例中，所述基板(116)是绝缘金属基板，所述基板包含：第一导电材料层(124)；在所述第一导电材料层(124)上的电介质材料层(126)；形成于所述电介质材料层(126)的第一部分上的第二导电材料层(128A)，其中所述第二导电材料层(128A)用作所述绝缘金属基板(116)的所述第一部分；以及形成于所述电介质材料层(126)的第二部分上的第三导电材料层(128B)，其中所述第三导电材料层(128B)用作所述绝缘金属基板(116)的所述第二部分(116B)。

在一个实施例中，还包含具有第一端部和第二端部的第三电互连(132)，所述第三电互连(132)的所述第一端部与所述绝缘金属基板(116)的所述第一部分耦接并且所述第三电互连(132)的所述第二端部与所述第一半导体芯片(10)的所述第二接合焊盘(20)耦接。

在一个实施例中，所述第二半导体芯片(50，70)具有第一表面和第二表面，并且其中源极接合焊盘(58)由所述第一表面的第一部分形成，栅极接合焊盘(56)由所述第一表面的第二部分形成，并且漏极接触部(60)由所述第二表面形成，并且其中所述漏极接触部(60)被接合于所述第一电互连(134)的所述第二端部。