[实用新型]半导体构件

权利要求书

1.一种半导体构件，其特征在于包含：

支撑体(102，102A)，具有表面(104)以及与所述支撑体(102，102A)集成于一体且从所述支撑体(102，102A)延伸出的第一引线(110，210)；

与所述支撑体(102，102A)相邻且与所述支撑体(102，102A)电隔离的第二引线(108，208)；

具有第一部分和第二部分的基板(116)，所述基板(116)接合于所述支撑体(102，102A)；

具有第一表面和第二表面的第一半导体芯片(10)，其中第一接合焊盘(18)从所述第一表面的第一部分延伸出，第二接合焊盘(20)从所述第一表面的第二部分延伸出，以及第三接合焊盘(16A，16B)从所述第一表面的第三部分延伸出，所述第二表面接合于所述基板(116)的所述第一部分，其中所述第一半导体芯片(10)由III-N半导体材料配置；

具有第一端部和第二端部的第一电互连(134)，所述第一电互连(134)的所述第一端部耦接于所述第一半导体芯片(10)的所述第一接合焊盘(18)，并且所述第一电互连(134)的所述第二端部耦接于所述基板(116)的所述第二部分；

与所述第一电互连(134)的所述第二端部接合的第二半导体芯片(50，70)；以及

具有第一端部和第二端部的第二电互连(136)，所述第二电互连(136)的所述第一端部与所述第二引线(108)耦接，并且所述第二电互连(136)的所述第二端部与所述第二半导体芯片(70)耦接。

2.根据权利要求1所述的半导体构件，其特征在于，所述基板(116)是绝缘金属基板，所述基板包含：

第一导电材料层(124)；

在所述第一导电材料层(124)上的电介质材料层(126)；

形成于所述电介质材料层(126)的第一部分上的第二导电材料层(128A)，其中所述第二导电材料层(128A)用作所述绝缘金属基板(116)的所述第一部分；以及

形成于所述电介质材料层(126)的第二部分上的第三导电材料层(128B)，其中所述第三导电材料层(128B)用作所述绝缘金属基板(116)的所述第二部分(116B)。

3.根据权利要求2所述的半导体构件，其特征在于，还包含具有第一端部和第二端部的第三电互连(132)，所述第三电互连(132)的所述第一端部与所述绝缘金属基板(116)的所述第一部分耦接并且所述第三电互连(132)的所述第二端部与所述第一半导体芯片(10)的所述第二接合焊盘(20)耦接。

4.根据权利要求3所述的半导体构件，其特征在于，所述第二半导体芯片(50，70)具有第一表面和第二表面，并且其中源极接合焊盘(58)由所述第一表面的第一部分形成，栅极接合焊盘(56)由所述第一表面的第二部分形成，并且漏极接触部(60)由所述第二表面形成，并且其中所述漏极接触部(60)被接合于所述第一电互连(134)的所述第二端部。

5.根据权利要求4所述的半导体构件，其特征还在于，所述第一电互连(134)的所述第二端部与所述第二半导体芯片(50)的所述源极接合焊盘(58)耦接，并且所述半导体构件还包含具有第一端部和第二端部的第三电互连(136)，所述第三电互连(136)的所述第一端部与所述第二半导体芯片(50)的所述源极接合焊盘(58)耦接，并且所述第三电互连(136)的所述第二端部与所述第二引线(208)耦接。

6.根据权利要求3所述的半导体构件，其特征在于，所述第二半导体芯片(70)包含具有第一表面和第二表面的二极管，以及其中阳极(78)由所述第一表面形成，并且阴极(76)由所述第二表面形成，并且其中所述阴极(76)被接合于所述第一电互连(134)的所述第二端部。