[实用新型]一种绝缘基板结构及使用该基板的功率模块

权利要求书

1.一种绝缘基板结构，其特征在于，包括陶瓷绝缘层以及形成于该陶瓷绝缘层上的金属层，所述金属层包括上桥臂金属层(1)和下桥臂金属层(2)，上桥臂金属层(1)上设有上桥臂芯片单元(3)，下桥臂金属层(2)上设有下桥臂芯片单元(4)，下桥臂金属层(2)包括接线区(5)，上桥臂芯片单元(3)与接线区(5)通过邦定线(6)相连，下桥臂金属层(2)在接线区(5)与下桥臂芯片单元(4)之间设有绝缘的均衡槽(7)。

2.根据权利要求1所述的一种绝缘基板结构，其特征在于，所述均衡槽(7)起始于靠近直流输入端子(8)的下桥臂金属层(2)的边缘，向远离直流输入端子(8)的方向延伸。

3.根据权利要求2所述的一种绝缘基板结构，其特征在于，所述均衡槽(7)的延伸方向与邦定线(6)的邦定方向垂直。

4.根据权利要求2所述的一种绝缘基板结构，其特征在于，所述下桥臂芯片单元(4)包括多个并联的功率器件，所述均衡槽(7)最短延伸至与第一个功率器件的顶部平齐，最长延伸至与最后一个功率器件的顶部平齐。

5.根据权利要求1所述的一种绝缘基板结构，其特征在于，所述均衡槽(7)为单段绝缘槽或者多段绝缘槽。

6.根据权利要求1所述的一种绝缘基板结构，其特征在于，所述上桥臂芯片单元(3)的材料为Si、SiC和GaN中的一种或多种，下桥臂芯片单元(4)的材料为Si、SiC和GaN中的一种或多种。

7.根据权利要求1所述的一种绝缘基板结构，其特征在于，所述上桥臂芯片单元(3)的芯片类型为IGBT、MOSFET和FRD中的一种或多种，下桥臂芯片单元(4)的芯片类型为IGBT、MOSFET和FRD中的一种或多种。

8.一种功率模块，其特征在于：使用如权利要求1-7中任一项所述的绝缘基板结构。

9.根据权利要求8所述的一种功率模块，其特征在于，包括直流输入端子(8)、输出端子(9)和多个并联的半桥结构，半桥结构包括绝缘基板和绝缘基板上的芯片集合，每个半桥结构分别连接两个直流输入端子(8)和一个输出端子(9)，至少一个绝缘基板的下桥臂金属层(2)在接线区(5)与下桥臂芯片单元(4)之间设有绝缘的均衡槽(7)。

10.根据权利要求9所述的一种功率模块，其特征在于，包括顺序排列的三个半桥结构，每个半桥结构包括一个绝缘基板，位于中间的一个绝缘基板其下桥臂金属层(2)在接线区(5)与下桥臂芯片单元(4)之间设有绝缘的均衡槽(7)。

11.根据权利要求9所述的一种功率模块，其特征在于，包括横向排列的三个半桥结构，每个半桥结构包括纵向排列的两个绝缘基板，靠近直流输入端子(8)的一行三个绝缘基板其下桥臂金属层(2)在接线区(5)与下桥臂芯片单元(4)之间均设有绝缘的均衡槽(7)。

12.根据权利要求9所述的一种功率模块，其特征在于，包括两个半桥结构，每个半桥结构包括一个绝缘基板，每个绝缘基板其下桥臂金属层(2)在接线区(5)与下桥臂芯片单元(4)之间均设有绝缘的均衡槽(7)。