[实用新型]一种提高气隙磁通的永磁交流伺服电机转子有效
申请号: | 201620195978.2 | 申请日: | 2016-03-14 |
公开(公告)号: | CN205377484U | 公开(公告)日: | 2016-07-06 |
发明(设计)人: | 陶志鹏 | 申请(专利权)人: | 杭州德伺麦科技有限公司 |
主分类号: | H02K1/22 | 分类号: | H02K1/22;H02K1/27;H02K1/28 |
代理公司: | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人: | 沈孝敬 |
地址: | 310012 浙江省杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 气隙磁通 永磁 交流 伺服 电机 转子 | ||
技术领域
本实用新型涉电机领域,尤其涉永磁交流伺服电机,具体的说是一种提高气隙磁通的永磁交流伺服电机转子。
背景技术
现有交流伺服电机转子结构,如图1所示,包括永磁体1、导磁体2、转轴4和永磁体加固套3。所述导磁体2外圆周有2p个缺口,2p块永磁体N极和S极交错地嵌置于上述导磁体外圆周缺口内。
参照图2,永磁体的结构呈瓦形,具有外圆弧面、内圆弧面和两个侧平面,外圆弧面和内圆弧面采用线切割加工而成。为了节省材料,通常将外圆弧面和内圆弧面设计成相同的半径R,这样就可以连接切割,因此两个圆心的偏移距离等于永磁体的厚度c。图中所示的两个侧平面相互平行。这种结构,切割方便,且不会浪费材料。计及相邻磁钢间的顶部漏磁和相邻磁钢之间的导磁体隔条5处的漏磁,为达到最大气隙磁通,优化后得到永磁体的外圆弧面的宽度b1。此形状永磁体的最大气隙磁通值,不是很理想。
参照图3,作为一种改进,永磁体的两个侧平面向心设置,永磁体的外圆弧面的宽度b2有所增加,此形状永磁体结构,相邻永磁体间的顶部漏磁有所增加,相邻磁钢之间的导磁体隔条5处的漏磁并未增加,优化后得到永磁体的外圆弧面的宽度b2后,优化后气隙磁通有所增加。但增加幅度并不多。
发明内容
本实用新型要解决的是现有技术存在的永磁体气隙磁通不高的问题,旨在提供一种提高气隙磁通的永磁交流伺服电机转子。
为解决上述问题,本实用新型采用以下技术方案:一种提高气隙磁通的永磁交流伺服电机转子,包括转轴、永磁体和永磁体加固套,其特征在于所述永磁体具有2p块,且N极和S极交错地设置于所述转轴的外圆周;所述的永磁体加固套套装在所述永磁体的外圆;并且,所述的永磁体1呈瓦形结构,具有外圆弧面、内圆弧面和两个侧平面,相邻永磁体的侧平面帖合,所述永磁体的左上角和右上角分别开有缺口。
本实用新型的永磁交流伺服电机转子,不设独立的导磁体,通过增大转轴直径,使转轴同时作为导磁体。同时,增大永磁体内圆弧面的包角直至取消极间间隙,可显著增加气隙磁通。
根据本实用新型,所述永磁体的侧平面所在的平面穿过转轴的轴心。
根据本实用新型,所述永磁体的外圆弧面的宽度b=0.8-0.9τ,其中τ为极距。
根据本实用新型,所述所述永磁体的缺口的深度a=0.4-0.6*c,其中c为永磁体的中心厚度。
根据本实用新型,所述的永磁体为轴对称形状。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步说明。
图1是现有永磁交流伺服电机转子的结构示意图。
图2是现有技术永磁体的一种结构示意图。
图3是现有技术永磁体的另一种结构示意图。
图4是本实用新型永磁交流伺服电机转子的的结构示意图。
图5是本实用新型永磁体的结构示意图。
图6是本实用新型永磁体的各参数示意图。
具体实施方式
参照图4、图5和图6,本实用新型的一种提高气隙磁通的永磁交流伺服电机转子,包括转轴4、永磁体1和永磁体加固套3,所述永磁体1具有2p块,且N极和S极交错地设置于所述转轴4的外圆周;所述的永磁体加固套3套装在所述永磁体1的外圆;并且,所述的永磁体1呈瓦形结构,具有外圆弧面103、内圆弧面104和两个侧平面101、106,相邻永磁体1的侧平面101、106帖合,所述永磁体1的左上角和右上角分别开有缺口102、105。
所述永磁体1的侧平面101、106所在的平面穿过转轴4的轴心。这样永磁体内圆弧面的包角A为360/2p。
所述永磁体1的外圆弧面的宽度b=0.8-0.9τ,其中τ为极距。
所述所述永磁体1的缺口102、105的深度a=0.4-0.6*c,其中c为永磁体的中心厚度。
所述的永磁体1为轴对称形状。
本实用新型的永磁交流伺服电机转子,不设独立的导磁体,通过增大转轴直径,使转轴同时作为导磁体。同时,增大永磁体内圆弧面的包角直至取消极间间隙,并优化外圆弧面的宽度b,可显著增加气隙磁通。本实用新型的永磁体结构与传统结构永磁体电机的比较,对一台200机座电机气隙磁通增加4%。实测电机的反电动势也增加4%。
应该理解到的是:上述实施例只是对本实用新型的说明,而不是对本实用新型的限制,任何不超出本实用新型实质精神范围内的实用新型创造,均落入本实用新型的保护范围之内。
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