[实用新型]半导体连接结构以及包括该半导体连接结构的半导体器件有效

专利信息
申请号: 201620193860.6 申请日: 2016-03-14
公开(公告)号: CN205388970U 公开(公告)日: 2016-07-20
发明(设计)人: 梅秀杰 申请(专利权)人: 无锡华润安盛科技有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495
代理公司: 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 代理人: 庞聪雅
地址: 214028 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 半导体 连接 结构 以及 包括 半导体器件
【说明书】:

【技术领域】

实用新型涉及半导体技术领域,特别涉及一种半导体连接结构以及包括 该半导体连接结构的半导体器件。

【背景技术】

部分智能功率模块由于工艺特点,需要将引线框与DBC(DirectBonding Copper,覆铜陶瓷基板)进行固定,后续会将芯片焊接在DBC上,焊线打在芯 片及引线框管脚上,在此过程中如果引线框与DBC固定强度不够高,键合打线 时DBC或引线框有浮动,容易造成键合焊接强度不够等问题。另外,如果引线 框与DBC连接方式不合理,也会影响产品耐电压的强度。

因此,有必要提供一种改进的技术方案来解决上述问题。

【实用新型内容】

本实用新型的目的在于提供一种半导体连接结构以及包括该半导体连接结 构的半导体器件,在该连接结构中,引线框和基板之间的固定强度(或连接强 度)更高,从而间接提升后续与芯片的键合焊接强度。

为了解决上述问题,根据本实用新型的一个方面,本实用新型提供一种半 导体连接结构,其包括:基板,其一表面上形成有电连接图形;引线框,其与 所述基板的电连接图形贴合,且所述引线框的引脚与所述电连接图形焊接在一 起,所述引线框的边角为圆角设计。

进一步的,所述电连接图形的边角处为圆角设计。

进一步的,所述引线框的边角包括引线框的末端和拐角;所述电连接图形 的边角包括电连接图形的末端和拐角。

进一步的,所述基板为覆铜陶瓷基板。

进一步的,所述基板的电连接图形包括有第一焊盘部,所述引线框的引脚 包括与引线框的其它部分相连的连接部和与所述基板的电连接图形的第一焊盘 部相焊接的第二焊盘部,所述引线框的一排引脚的第二焊盘部的长度总和等于 与该排引脚相贴合的电连接图形的边长的1/2至4/5。

根据本实用新型的另一个方面,本实用新型提供一种半导体器件,其包括 半导体连接结构和与该半导体连接结构键合连接的芯片。所述半导体连接结构 包括:基板,其一表面上形成有电连接图形;引线框,其与所述基板的电连接 图形贴合,且所述引线框的引脚与所述电连接图形焊接在一起,所述引线框的 边角为圆角设计。

与现有技术相比,本实用新型将引线框的边角改为圆角设计,以减少加工 时在引线框的边角处产生的毛刺,从而增强引线框和基板焊接在一起后的连接 强度,进而间接提升了后续与芯片的键合焊接强度。

【附图说明】

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案,下面将对实施例描述中 所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实 用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性 的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。其中:

图1(a)为现有技术中的一种引线框的俯视图;

图1(b)为现有技术中的一种DBC的俯视图;

图1(c)为图1(a)所示的引线框和如图1(b)所示的BDC贴合焊接后 的俯视图;

图2(a)为图1(a)所示的引线框的部分引脚的放大示意图;

图2(b)为图1(b)中的DBC的电连接图形的部分放大示意图;

图2(c)为图1(c)中的部分焊接区域的放大示意图;

图3(a)为本实用新型在一个实施例中的引线框的俯视图;

图3(b)为本实用新型在一个实施例中的基板的俯视图;

图3(c)为本实用新型在一个实施例中的半导体连接结构的俯视图;

图4(a)为图3(a)所示的引线框的部分引脚的放大示意图;

图4(b)为图3(b)中的基板的电连接图形的部分放大示意图;

图4(c)为图3(c)所示的半导体连接结构中的部分焊接区域的放大示意 图。

【具体实施方式】

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附 图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。

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