[实用新型]一种改进的晶元掩膜层沉积用喷气盘

说明书

技术领域

本实用新型属于晶元生产设备领域，具体涉及一种改进的晶元掩膜层沉积用喷气盘。

背景技术

使用现有的喷气盘，以化学气相沉积法在晶元上形成的掩膜层碳厚度的形貌是晶元中心厚、边上薄，厚度的差异是在40纳米左右。如果应用现有的掩膜层碳，在经过接下来的刻蚀制程(晶元边上刻蚀相对中心较慢)之后，会导致晶元边上比中心的关键尺寸偏小3纳米左右。晶元中心和边上在刻蚀之后的关键尺寸差值(3纳米左右)直接影响到了金属导线电阻值、良率以及可靠性。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种改进的晶元掩膜层沉积用喷气盘，使用该改进的喷气盘其可降低晶元边上掩膜层碳的厚度，提高刻蚀之后关键尺寸的均匀度，最终使产品的良率和可靠性得到提高。

本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下：一种改进的晶元掩膜层沉积用喷气盘，所述喷气盘的工作面板包括中部圆形区域和边缘的环形区域，所述圆形区域上均匀密布有若干大喷气孔，所述环形区域上均匀密布有若干小喷气孔，所述环形区域的面积为圆形区域面积的45％-60％，所述小喷气孔的孔径为所述大喷气孔孔径的20％-40％。其中大喷气孔的孔径和形状与现有使用的喷气盘上的喷气孔保持一致，小喷气孔按照上述比例对大喷气孔进行缩小制得，即小喷气孔与大喷气孔形状相似，只是孔径较小。圆形区域与环形区域的分界线为所有最外侧大喷气孔相内切的圆周。

在上述技术方案的基础上，本实用新型还可以做如下改进。

进一步，所述圆形区域和环形区域共平面且共圆心。

进一步，所述圆形区域上的大喷气孔及所述环形区域上的小喷气孔均呈圆形阵列分布。

进一步，所述圆形区域的半径为120mm,所述环形区域外圆的半径为150mm。

进一步，所述环形区域面积为圆形区域面积的56.25％。

进一步，所述小喷气孔的孔径为所述大喷气孔孔径的30％。

进一步，所述喷气盘的工作面板由中部的所述圆形区域和边缘的所述环形区域一体成型制成。

本实用新型的有益效果是：通过缩小喷气盘边缘一定区域(即所述环形区域)上的喷气孔的孔径(即得到小喷气孔)，得到改进的晶元掩膜层沉积用喷气盘，使用该改进的喷气盘制得的晶元掩膜层的边缘区域比未改进之前喷气盘制得的更薄(改进后喷气盘制得的晶元掩膜层中间比边缘厚70nm左右)，然后按照现有技术进行刻蚀制程，晶元边缘刻蚀之后的关键尺寸接近晶元中心的关键尺寸，改善了均匀度，最终产品的良率和可靠性得到提高。

附图说明

图1为本实用新型提供的喷气盘的结构示意图；

附图中，各标号所代表的部件列表如下：

1.圆形区域；2.大喷气孔；3.环形区域；4.小喷气孔。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本实用新型，并非用于限定本实用新型的范围。

如图1所示，本实用新型提供一种改进的晶元掩膜层沉积用喷气盘，所述喷气盘的工作面板包括中部圆形区域1和边缘的环形区域3，所述圆形区域1上均匀密布有若干大喷气孔2，所述环形区域3上均匀密布有若干小喷气孔4，所述环形区域3的面积为圆形区域1面积的45％-60％，所述小喷气孔4的孔径为所述大喷气孔2孔径的20％-40％。圆形区域与环形区域的分界线为所有最外侧大喷气孔相内切的圆周，如图1中的虚线所示，喷气盘实物中并无很明显的连续界线。

在上述技术方案的基础上，本实用新型还可以做如下改进。

进一步，所述圆形区域1和环形区域3共平面且共圆心。

进一步，所述圆形区域1上的大喷气孔2及所述环形区域3上的小喷气孔4均呈圆形阵列分布。

进一步，所述圆形区域1的半径为120mm,所述环形区域3外圆的半径为150mm。

进一步，所述环形区域3面积为圆形区域1面积的56.25％。

进一步，所述小喷气孔4的孔径为所述大喷气孔2孔径的30％。

进一步，所述喷气盘的工作面板通过由中部的所述圆形区域1和边缘的所述环形区域3一体成型制成。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。