[实用新型]一种改进的晶元掩膜层沉积用喷气盘有效
申请号: | 201620143930.7 | 申请日: | 2016-02-25 |
公开(公告)号: | CN205385013U | 公开(公告)日: | 2016-07-13 |
发明(设计)人: | 李艳锋 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人: | 陈卫 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 改进 晶元掩膜层 沉积 喷气 | ||
1.一种改进的晶元掩膜层沉积用喷气盘,其特征在于,所述喷气盘的工作面板包括中部的圆形区域(1)和边缘的环形区域(3),所述圆形区域(1)上均匀密布有若干大喷气孔(2),所述环形区域(3)上均匀密布有若干小喷气孔(4),所述环形区域(3)的面积为圆形区域(1)面积的45%-60%,所述小喷气孔(4)的孔径为所述大喷气孔(2)孔径的20%-40%。
2.根据权利要求1所述的一种改进的晶元掩膜层沉积用喷气盘,其特征在于,所述圆形区域(1)和环形区域(3)共平面且共圆心。
3.根据权利要求2所述的一种改进的晶元掩膜层沉积用喷气盘,其特征在于,所述圆形区域(1)上的大喷气孔(2)及所述环形区域(3)上的小喷气孔(4)均呈圆形阵列分布。
4.根据权利要求2所述的一种改进的晶元掩膜层沉积用喷气盘,其特征在于,所述圆形区域(1)的半径为120mm,所述环形区域(3)外圆的半径为150mm。
5.根据权利要求4所述的一种改进的晶元掩膜层沉积用喷气盘,其特征在于,所述环形区域(3)面积为圆形区域(1)面积的56.25%。
6.根据权利要求1所述的一种改进的晶元掩膜层沉积用喷气盘,其特征在于,所述小喷气孔(4)的孔径为所述大喷气孔(2)孔径的30%。
7.根据权利要求1至6任一项所述的一种改进的晶元掩膜层沉积用喷气盘,其特征在于,所述喷气盘的工作面板由中部的所述圆形区域(1)和边缘的所述环形区域(3)一体成型制成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造