[实用新型]一种超薄型高像素影像传感器封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及带软硬结合基板的PLCC延伸封装技术领域，特别是涉及一种超薄型高像素影像传感器封装结构。

背景技术

目前现有技术的前置式CMOS影像传感器的应用集中在500万像素以下，随着智慧手机等的应用，前置式(Front-facing)技术的与时俱进，像素微小化以及先进制程的技术突破，带动了CMOS影像传感器高像素的市场，而芯片级封装(CSP：ChipScalePackaged)高像素CMOS影像传感器封装会有技术的缺陷及瓶颈，板上芯片(COB：ChipOnBoard)封装必定是趋势。

然而，目前绝大部分高像素CMOS影像传感器COB封装结构时电容电阻与CMOS影像传感器摆放在一起，中间没有采用隔离措施，电容电阻被动元件在SMT表面贴装工艺后会有锡珠、助焊剂，而锡珠、助焊剂很容易跑到CMOS影像传感器上面，清洁非常困难或无法清洁，这样在影像输出会产生污点等不良现象，加上结构设计时没有把光学中心偏移，传感器的倾斜等考虑到位，封装出来的产品对摄像头模组组装端组装困难，容易使影像产生暗角，影像单边解析度模糊不良，对影像品质无法保证，封装良品率降低，且之前结构无法维修。

有鉴于此，特提出本实用新型，以解决上述技术问题。

实用新型内容

针对上述现有的技术，本实用新型所要解决的技术问题是提供一种能有效防止对影像传感器的污染，提高封装品质和良品率的超薄型高像素影像传感器封装结构。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种超薄型高像素影像传感器封装结构，其包括软硬结合基板，所述软硬结合基板上贴装有位于中部的影像传感器及位于边缘位置的电容电阻，所述软硬结合基板上还设有隔离墙底座，所述隔离墙底座底部对应于软硬结合基板上的影像传感器和电容电阻的位置分别设有容纳影像传感器的第一空位和容纳电容电阻的第二空位，所述影像传感器和电容电阻被隔离墙隔开，所述隔离墙底座正面安装有玻璃片，所述软硬结合基板上还设有直接引出的连接器。

本实用新型的进一步改进为，所述第二空位呈由隔离墙底座的外壁向内凹陷形成的凹陷形状。

本实用新型的进一步改进为，所述隔离墙底座正面设有用于粘贴玻璃片的第三空位。

本实用新型的进一步改进为，所述隔离墙底座底部与软硬结合基板结合处设有第一胶水槽，所述第三空位底部与玻璃片结合处设有第二胶水槽。

本实用新型的进一步改进为，所述影像传感器为CMOS影像传感器。

与现有技术相比，本实用新型采用隔离墙隔开影像传感器和电容电阻，结构简单实用，可以有效把锡珠、助焊剂、碎屑等脏污隔离在影像传感器外面，保护了焊接过程中影像传感器的清洁，防止对影像传感器的污染，提高封装品质和良品率，可拆解玻璃进行维修;直接引出的连接器还可在模组端减少SMT二次回焊制程;采用软硬结合基板可以降低模组总高。本实用新型能有效防止对影像传感器的污染，实现可维修，提高封装品质和良品率。

附图说明

图1是本实用新型的立体结构示意图;

图2是本实用新型拆除产品搬运装置后的立体结构示意图;

图3是本实用新型DAM正面示意图;

图4是本实用新型DAM反面示意图;

图5是本实用新型流程图。

图中各部件名称如下：

1—软硬结合基板;

2—影像传感器;

3—电容电阻;

4—隔离墙底座;

41—第一空位;

42—第二空位;

43—隔离墙;

44—第三空位;

45—第一胶水槽;

46—第二胶水槽;

5—玻璃片;

6—连接器。

具体实施方式

下面结合附图说明及具体实施方式对本实用新型进一步说明。