[实用新型]阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，特别是指一种阵列基板及显示装置。

背景技术

现有的TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)阵列基板为减少X-Line(横线不 良)，扇出区的数据线引线往往采用栅金属层来制作，然后通过过孔利用透明导电层将数据 线引线与数据线连接起来。在阵列基板的制作工艺中，经常存在DDS(DataDataShort，数 据线短路不良)，现有技术首先是通过ESS(EnvironmentStressScreen,环境应力筛选)测 试数据线引线或数据线之间是否存在短路不良，然后再由定位单元确定短路不良发生的位 置坐标信息。

如图1所示，在扇出区设置有第一信号加载线1和第二信号加载线2，其中第一信号 加载线1用于向奇数行数据线引线加载测试信号，第二信号加载线2用于向偶数行数据线引 线加载测试信号，在检测是否发生短路不良时，分别向第一信号加载线1和第二信号加载线 2加载测试信号。但是，如图1所示，由于透明导电层残留或者栅金属层残留导致第2k-1根数 据线引线3和第2k根数据线引线4在位置5处发生短路，在进行测试向第一信号加载线1加载 测试信号时，测试信号传递至第2k-1根数据线引线3后，经由短路处传递至第2k根数据线引 线4、再传递至第二信号加载线2，进而由第二信号加载线2传递至所有的偶数行数据线引 线，最终导致所有的数据线引线和数据线都存在测试信号，使得定位单元无法确定短路不 良发生的位置坐标信息，进而无法对阵列基板进行维修，导致阵列基板的良品率下降。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种阵列基板及显示装置，在不改变现有阵 列基板测试信号加载方式的前提下，能够确定出短路不良发生的位置坐标信息，进而提高 阵列基板的良品率。

为解决上述技术问题，本实用新型的实施例提供技术方案如下：

一方面，提供一种阵列基板，包括多条数据线和形成在非显示区域的与所述数据 线对应连接的多条信号加载线，所述信号加载线与对应数据线的连接处设置有单向导通器 件，以使外部测试信号经所述单向导通器件传递至对应的数据线。

进一步地，所述信号加载线包括：

与奇数行数据线连接的第一信号加载线以及与偶数行数据线连接的第二信号加 载线；或

与奇数列数据线连接的第一信号加载线以及与偶数列数据线连接的第二信号加 载线。

进一步地，所述单向导通器件为栅极和源极连接的单向导通薄膜晶体管，所述单 向导通薄膜晶体管的源极或栅极与所述信号加载线连接，所述单向导通薄膜晶体管的漏极 与所述数据线连接。

进一步地，所述阵列基板还包括形成在显示区域的多个开关薄膜晶体管，所述单 向导通薄膜晶体管的栅极与所述开关薄膜晶体管的栅极为同层同材料设置，所述单向导通 薄膜晶体管的源极和漏极与所述开关薄膜晶体管的源极和漏极为同层同材料设置，所述单 向导通薄膜晶体管的有源层与所述开关薄膜晶体管的有源层为同层同材料设置。

进一步地，所述单向导通薄膜晶体管的漏极通过导电连接线与所述数据线连接。

进一步地，所述阵列基板还包括形成在显示区域的多个像素电极，所述导电连接 线与所述像素电极为采用同材料且部分所述导电连接线与所述像素电极同层设置。

进一步地，所述单向导通器件为二极管，所述二极管的阳极与所述信号加载线连 接，所述二极管的阴极与所述数据线连接。

进一步地，所述阵列基板还包括形成在显示区域的多个开关薄膜晶体管，所述二 极管与所述开关薄膜晶体管的有源层为同层设置。

本实用新型实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的阵列基板。

本实用新型的实施例具有以下有益效果：

上述方案中，信号加载线与对应数据线引线的连接处设置有单向导通器件，外部 测试信号只能从信号加载线单向传递至对应的数据线引线，这样当数据线引线发生短路不 良时，数据线引线上的外部测试信号不会传递至信号加载线，除了与加载有外部测试信号 的信号加载线连接的数据线引线外，只有发生短路不良的数据线引线上才有外部测试信 号，这样就能够在不改变现有阵列基板测试信号加载方式的前提下，确定出短路不良发生 的位置坐标信息，进而可以对阵列基板进行维修，提高阵列基板的良品率。

附图说明

图1为现有阵列基板扇出区的走线示意图；