[实用新型]阵列基板及显示装置有效

专利信息
申请号: 201620006273.1 申请日: 2016-01-04
公开(公告)号: CN205282049U 公开(公告)日: 2016-06-01
发明(设计)人: 张世举;任兴凤;刘国全 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
主分类号: G09G3/00 分类号: G09G3/00
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 许静;黄灿
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 阵列 显示装置
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,包括多条数据线和形成在非显示区域的与所述数据线对应连接的多 条信号加载线,其特征在于,所述信号加载线与对应数据线的连接处设置有单向导通器件, 以使外部测试信号经所述单向导通器件传递至对应的数据线。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述信号加载线包括:

与奇数行数据线连接的第一信号加载线以及与偶数行数据线连接的第二信号加载线; 或

与奇数列数据线连接的第一信号加载线以及与偶数列数据线连接的第二信号加载线。

3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述单向导通器件为栅极和源极连接 的单向导通薄膜晶体管,所述单向导通薄膜晶体管的源极或栅极与所述信号加载线连接, 所述单向导通薄膜晶体管的漏极与所述数据线连接。

4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括形成在显示区域 的多个开关薄膜晶体管,所述单向导通薄膜晶体管的栅极与所述开关薄膜晶体管的栅极为 同层同材料设置,所述单向导通薄膜晶体管的源极和漏极与所述开关薄膜晶体管的源极和 漏极为同层同材料设置,所述单向导通薄膜晶体管的有源层与所述开关薄膜晶体管的有源 层为同层同材料设置。

5.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述单向导通薄膜晶体管的漏极通过 导电连接线与所述数据线连接。

6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括形成在显示区域 的多个像素电极,所述导电连接线与所述像素电极为采用同材料且部分所述导电连接线与 所述像素电极同层设置。

7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述单向导通器件为二极管,所述二 极管的阳极与所述信号加载线连接,所述二极管的阴极与所述数据线连接。

8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括形成在显示区域 的多个开关薄膜晶体管,所述二极管与所述开关薄膜晶体管的有源层为同层设置。

9.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-8中任一项所述的阵列基板。

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