[发明专利]建立可制造性设计模型的数据处理方法及其数据处理装置

权利要求书

1.一种建立可制造性设计模型的数据处理方法，其特征在于，包括：

提供第一晶圆，所述第一晶圆包括用于形成第一芯片的器件区和用于形成测试单元的测试区；

提供测试图样和第一芯片图样，所述测试图样用于在所述测试区的第一晶圆上形成测试单元，所述第一芯片图样用于在所述器件区的第一晶圆上形成第一芯片；

将所述测试图样和所述第一芯片图样转移至所述第一晶圆上，形成位于所述测试区第一晶圆上的测试单元图形和位于所述器件区第一晶圆上的第一芯片图形；

在所述测试单元图形上设置多个一维采样点，并对所述测试单元图形进行一维尺寸测量，获得一维测量数据，所述一维测量数据包括：所述一维采样点之间的尺寸；

在所述第一芯片图形上设置多个二维采样点，并对所述第一芯片图形进行二维形貌测量，获得二维测量数据，所述二维测量数据包括：所述二维采样点的坐标以及所述二维采样点的高度；

对所述一维测量数据和所述二维测量数据进行处理，以建立可制造性设计模型。

2.如权利要求1所述的数据处理方法，其特征在于，对所述测试单元图形进行一维尺寸测量的步骤包括：通过透射电子显微镜或者原子力显微镜对所述测试单元图形进行一维尺寸测量；或者，通过透射电子显微镜和原子力显微镜对所述测试单元图形进行一维尺寸测量。

3.如权利要求1所述的数据处理方法，其特征在于，对所述第一芯片图形进行二维形貌测量的步骤包括：通过光学测量的方法对所述第一芯片图形进行二维形貌测量。

4.如权利要求1所述的数据处理方法，其特征在于，在所述第一芯片图形上设置多个二维采样点的步骤包括：

在所述第一芯片图形上划定测量区域；

在所述测量区域内设置所述多个二维采样点。

5.如权利要求4所述的数据处理方法，其特征在于，在所述第一芯片图形上划定测量区域的步骤中，所述测量区域为所述第一芯片图形所在区域；或者，所述测量区域为所述第一芯片图形的部分区域。

6.如权利要求5所述的数据处理方法，其特征在于，所述测量区域为所述第一芯片图形的部分区域，所述测量区域的面积大于或等于2500nm²。

7.如权利要求5所述的数据处理方法，其特征在于，所述测量区域为所述第一芯片图形的部分区域，所述测量区域包括第一方向以及与所述第一方向相交的第二方向；沿第一方向，所述测量区域的尺寸大于或等于50nm；沿第二方向，所述测量区域的尺寸大于或等于50nm。

8.如权利要求1所述的数据处理方法，其特征在于，建立可制造性设计模型之后，所述数据处理方法还包括：对所述可制造性设计模型进行校准处理。

9.如权利要求8所述的数据处理方法，其特征在于，所述校准处理包括：对所述可制造性设计模型进行第一校准处理；

所述第一校准处理包括：根据所述可制造性设计模型对所述第一芯片图样进行可制造性设计仿真，获得第一仿真图形；

比较所述第一仿真图形和所述第一芯片图形，并根据所述第一仿真图形和所述第一芯片图形的差异对所述可制造性设计模型进行校准，以减小所述第一仿真图形和所述第一芯片图形的差异。

10.如权利要求9所述的数据处理方法，其特征在于，在第一校准处理之后，所述校准处理还包括：对经第一校准处理校准的所述可制造性设计模型进行第二校准处理；

所述第二校准处理包括：

提供第二芯片图样和第二晶圆；

根据可制造性设计模型对所述第二芯片图样进行可制造性设计仿真，获得第二仿真图形；

将所述第二芯片图样转移至所述第二晶圆上，在所述第二晶圆上形成第二芯片图形；

比较所述第二仿真图形和所述第二芯片图形，并根据所述第二仿真图形和所述第二芯片图形的差异对所述可制造性设计模型进行校准，以减小所述第二仿真图形和所述第二芯片图形的差异。