[发明专利]测试结构及其形成方法、测试方法

权利要求书

1.一种测试结构，其特征在于，包括：

基底；

位于所述基底内的阱区；

位于所述阱区内的第一外延掺杂区，其中，所述第一外延掺杂区和所述阱区的掺杂类型相同；

位于所述基底上的介质层，所述介质层覆盖所述阱区和第一外延掺杂区；

贯穿所述介质层且与所述阱区电连接的第一接触插塞；

贯穿所述介质层且与所述第一外延掺杂区电连接的第二接触插塞和第三接触插塞，所述第二接触插塞和第三接触插塞相分立，且所述第二接触插塞位于所述第一接触插塞和第三接触插塞之间；所述第二接触插塞包括位于所述第一外延掺杂区上的金属硅化物层以及位于所述金属硅化物层上的第一导电插塞，其中，在平行于所述基底且沿所述第二接触插塞延伸方向上，所述第二接触插塞表面具有两端；

所述导电插塞的材料为铜、铝或钨。

2.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第二接触插塞的一端为第一外接电流加载端；所述第二接触插塞的另一端为顶部电势测量端；所述第一接触插塞为第二外接电流加载端，且所述第二外接电流的电流值小于所述第一外接电流的电流值；所述第三接触插塞为底部电势测量端。

3.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第一外延掺杂区的数量为一个，所述第二接触插塞和第三接触插塞与同一个第一外延掺杂区电连接；

或者，所述第一外延掺杂区的数量为两个，所述两个第一外延掺杂区位于所述第一接触插塞同侧；所述第二接触插塞与靠近所述第一接触插塞一侧的第一外延掺杂区电连接，所述第三接触插塞与另一个第一外延掺杂区电连接。

4.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述金属硅化物层位于所述第一外延掺杂区的部分表面或全部表面。

5.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述金属硅化物层的材料为硅化镍或硅化钛。

6.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构还包括：位于所述第一接触插塞下方阱区内的第二外延掺杂区，所述第一接触插塞与所述第二外延掺杂区电连接；其中，所述第二外延掺杂区和第一外延掺杂区相分立，且所述第二外延掺杂区和第一外延掺杂区的材料相同。

7.如权利要求6所述的测试结构，其特征在于，所述第一外延掺杂区和第二外延掺杂区的掺杂类型为P型，所述第一外延掺杂区和第二外延掺杂区的材料为P型掺杂的SiGe或者Si；

或者，所述第一外延掺杂区和第二外延掺杂区的掺杂类型为N型，所述第一外延掺杂区和第二外延掺杂区的材料为N型掺杂的SiC或者Si。

8.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第三接触插塞包括位于所述第一外延掺杂区上的金属硅化物层以及位于所述金属硅化物层上的第二导电插塞；

或者，所述第三接触插塞仅包括第二导电插塞。

9.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述基底包括衬底以及位于所述衬底上分立的鳍部；

所述阱区位于所述鳍部内。

10.一种测试结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底内形成阱区；

在所述阱区内形成第一外延掺杂区，其中，所述第一外延掺杂区和阱区的掺杂类型相同；

在所述基底上形成介质层，所述介质层覆盖所述阱区和第一外延掺杂区；

在所述第一外延掺杂区一侧形成贯穿所述介质层且与所述阱区电连接的第一接触插塞；

形成贯穿所述介质层且与所述第一外延掺杂区电连接的第二接触插塞和第三接触插塞，所述第二接触插塞和第三接触插塞相分立，且所述第二接触插塞位于所述第一接触插塞和第三接触插塞之间；所述第二接触插塞包括位于所述第一外延掺杂区上的金属硅化物层以及位于所述金属硅化物层上的第一导电插塞，其中，在平行于所述基底且沿所述第二接触插塞延伸方向上，所述第二接触插塞表面具有两端；所述导电插塞的材料为铜、铝或钨。