[发明专利]制作半导体元件的方法

权利要求书

1.一种制作半导体元件的方法，包含：

提供一基底，该基底上具有存储区以及周边区；

形成一第一埋入式栅极以及一第二埋入式栅极于该存储区的该基底内；

形成一第一硅层于该周边区的该基底上；

形成一堆叠层于该第一硅层上；

形成一外延层于该第一埋入式栅极与该第二埋入式栅极间的该基底上；

形成一第二硅层于该存储区的该外延层上以及该周边区的该堆叠层上；

进行一蚀刻制作工艺去除该存储区与该周边区的该第二硅层并暴露出该堆叠层；

形成一第三硅层于该存储区及该周边区的该堆叠层上；以及

去除该周边区的部分该第三硅层。

2.如权利要求1所述的方法，另包含：

形成该堆叠层于该存储区的该基底上以及该周边区的该第一硅层上；

去除该存储区的部分该堆叠层以及该第一埋入式栅极与该第二埋入式栅极间的该基底以形成一凹槽；

形成该外延层于该凹槽内；以及

形成该第二硅层于该外延层上。

3.如权利要求1所述的方法，另包含于进行该蚀刻制作工艺时同时去除该存储区的部分该外延层。

4.如权利要求1所述的方法，其中该第二硅层与该第三硅层包含相同材料。

5.如权利要求1项所述的方法，其中该第一硅层与该第二硅层包含不同材料。

6.如权利要求1所述的方法，其中该第一硅层包含非晶硅。

7.如权利要求1所述的方法，其中该堆叠层包含一氧化物-氮化物-氧化物堆叠层。

8.如权利要求1所述的方法，其中该第二硅层包含多晶硅。