[发明专利]氮化镓基功率开关器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201611260109.4 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN106601798A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 康玄武;刘新宇;黄森;王鑫华;魏珂 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L21/02;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司11228 | 代理人： | 张瑾 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 功率 开关 器件 及其 制作方法 | ||
1.一种氮化镓基功率开关器件的制作方法，其特征在于，包括：
在轻掺杂N型氮化镓外延片上方生长P型氮化镓外延层；
对所述P型氮化镓外延层和所述轻掺杂N型氮化镓外延片进行刻蚀，以形成贯穿于所述P型氮化镓外延层或贯穿于所述P型氮化镓外延层并伸入所述轻掺杂N型氮化镓外延片中的场环结构；
在含有所述场环结构的P型氮化镓外延层上方生长轻掺杂N型氮化镓外延层；
其中，所述场环结构包括至少一个槽形结构。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在轻掺杂N型氮化镓外延片上方生长P型氮化镓外延层包括：
利用金属有机化合物化学气相沉积法、分子束外延法或者氢化物气相外延法在所述轻掺杂N型氮化镓外延片上方生长所述P型氮化镓外延层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述对所述P型氮化镓外延层和所述轻掺杂N型氮化镓外延片进行刻蚀之前，还包括：
在所述P型氮化镓外延层的表面覆盖阻挡层。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述P型氮化镓外延层的厚度小于所述轻掺杂N型氮化镓外延片的厚度。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述阻挡层为氧化硅或者氮化硅。
6.一种氮化镓基功率开关器件，其特征在于，包括：轻掺杂N型氮化镓外延片、所述轻掺杂N型氮化镓外延片上方生长出的P型氮化镓外延层、所述P型氮化镓外延层上方生长出的轻掺杂N型氮化镓外延层以及贯穿于所述P型氮化镓外延层或贯穿于所述P型氮化镓外延层并伸入所述轻掺杂N型氮化镓外延片的场环结构，其中，所述场环结构包括至少一个槽形结构。
7.根据权利要求6所述的器件，其特征在于，所述轻掺杂N型氮化镓外延片上方生长出的P型氮化镓外延层是利用金属有机化合物化学气相沉积法、分子束外延法或者氢化物气相外延法形成的。
8.根据权利要求6所述的器件，其特征在于，所述P型氮化镓外延层的表面覆盖有阻挡层。
9.根据权利要求6所述的器件，其特征在于，所述P型氮化镓外延层的厚度小于所述轻掺杂N型氮化镓外延片的厚度。
10.根据权利要求8所述的器件，其特征在于，所述阻挡层为氧化硅或者氮化硅。
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