[发明专利]制作半导体元件的方法

权利要求书

1.一种制作半导体元件的方法，包含：

提供一基底，该基底上具有一存储区；

形成一沟槽于该基底内；

形成一阻障层于该沟槽内；

形成一导电层于该阻障层上；

进行一第一蚀刻制作工艺去除部分该导电层；以及

进行一第二蚀刻制作工艺去除部分该阻障层，其中该第二蚀刻制作工艺包含：

通入一离子化的第一气体至一反应室；

利用一离子过滤器去除该气体中的电荷以形成一第二气体，该第二气体为一不带有电荷的气体；以及

利用该第二气体去除部分该阻障层。

2.如权利要求1所述的方法，其中该第一气体包含氯气。

3.如权利要求1所述的方法，其中该第二气体包含氯原子。

4.如权利要求1所述的方法，另包含：

形成一介电层于该基底上；

形成该沟槽于该介电层及该基底内；

形成一栅极介电层于该沟槽内；

形成该阻障层于该栅极介电层上、该介电层上表面以及该介电层侧壁；

进行该第一蚀刻制作工艺来去除部分该导电层并使该导电层上表面低于该介电层下表面；以及

进行该第二蚀刻制作工艺来去除该介电层上表面的该阻障层以及该介电层侧壁的该阻障层。

5.如权利要求4所述的方法，其中该介电层包含氧化硅。

6.如权利要求1所述的方法，其中该阻障层包含氮化钛。

7.如权利要求1所述的方法，其中该导电层包含钨。

8.一种制作半导体元件的方法，包含：

提供一基底，该基底上具有一存储区；

形成一沟槽于该基底内；

形成一阻障层于该沟槽内；

形成一导电层于该阻障层上；

进行一第一蚀刻制作工艺去除部分该导电层；以及

进行一第二蚀刻制作工艺去除部分该阻障层，其中该第二蚀刻制作工艺包含一无等离子体蚀刻制作工艺，该无等离子体蚀刻制作工艺包含一软蚀刻制作工艺。

9.如权利要求8所述的方法，其中该软蚀刻制作工艺的气体是选自由氯气以及氦气所构成的群组。