[发明专利]半导体存储装置以及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，包括：

半导体基底，包括多个主动区；

浅沟槽隔离，设置于该半导体基底中，其中该浅沟槽隔离设置于该多个主动区之间；

位线接触开口，设置于该多个主动区中的其中一个以及该浅沟槽隔离中，其中该位线接触开口的边缘具有一底切结构；以及

位线结构，部分设置于该位线接触开口中且与该位线接触开口对应的该主动区接触，

其中该位线接触开口的底部宽度大于该位线接触开口的顶部宽度。

2.如权利要求1所述的半导体存储装置，还包括一隔离结构，设置于该位线接触开口的该底切结构中，其中该隔离结构为一上窄下宽的结构。

3.如权利要求2所述的半导体存储装置，还包括一间隙子层，该间隙子层的一部分设置于该位线结构上，该间隙子层的另一部分设置于该位线接触开口中且位于该隔离结构与该位线结构之间。

4.如权利要求2所述的半导体存储装置，其中该隔离结构的底面低于该位线接触开口对应的该主动区的顶面。

5.如权利要求2所述的半导体存储装置，其中该隔离结构的侧面包括一弧形面。

6.一种半导体存储装置的制作方法，包括：

提供一半导体基底，其中一浅沟槽隔离形成于该半导体基底中而定义出多个主动区；

进行一第一蚀刻制作工艺，用以于该半导体基底中形成一位线接触开口，其中该位线接触开口对应且暴露出该多个主动区中的其中一个，且该位线接触开口的边缘具有一底切结构；以及

在该半导体基底上形成一位线结构，其中该位线结构的一部分设置于该位线接触开口中且与该位线接触开口对应的该主动区接触，

其中该位线接触开口的底部宽度大于该位线接触开口的顶部宽度。

7.如权利要求6所述的半导体存储装置的制作方法，还包括：

在该位线接触开口的该底切结构中形成一隔离结构，其中该隔离结构为一上窄下宽的结构。

8.如权利要求7所述的半导体存储装置的制作方法，其中该隔离结构的制作方法包括：

在该半导体基底上以及该位线接触开口中形成一绝缘层，其中该绝缘层填入该位线接触开口的该底切结构中；以及

对该绝缘层进行一第二蚀刻制作工艺，用以移除位于该位线接触开口之外的该绝缘层以及位于该位线接触开口中的部分的该绝缘层而于该底切结构中形成该隔离结构。

9.如权利要求8所述的半导体存储装置的制作方法，其中该第二蚀刻制作工艺于该位线结构形成之前进行。

10.如权利要求7所述的半导体存储装置的制作方法，还包括：

在该半导体基底以及该位线结构上形成一间隙子层，其中该间隙子层的一部分形成于该位线接触开口中且位于该隔离结构与该位线结构之间。

11.如权利要求7所述的半导体存储装置的制作方法，其中该隔离结构的底面低于该位线接触开口对应的该主动区的顶面。

12.如权利要求7所述的半导体存储装置的制作方法，其中该隔离结构的侧面包括一弧形面。

13.如权利要求6所述的半导体存储装置的制作方法，其中该位线接触开口的该底切结构的底面低于该位线接触开口对应的该主动区的顶面。

14.如权利要求6所述的半导体存储装置的制作方法，其中该位线接触开口的该底切结构形成于该浅沟槽隔离中。