[发明专利]一种有机发光显示面板及装置在审
申请号: | 201611255356.5 | 申请日: | 2016-12-30 |
公开(公告)号: | CN106783932A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 王湘成;滨田;牛晶华;何为;程爽 | 申请(专利权)人: | 上海天马有机发光显示技术有限公司;天马微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/54;H01L51/50 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 孟金喆,胡彬 |
地址: | 200120 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 发光 显示 面板 装置 | ||
技术领域
本发明实施例涉及有机发光显示技术,尤其涉及一种有机发光显示面板及装置。
背景技术
有机发光显示(Organic light Emitting Display),由于其具有不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快等技术优点,已经成为显示行业发展的重点方向之一。
现有的双发光层有机发光显示面板,虽然可以较好地调控载流子平衡,但是随着工作时间的不断增加,构成发光层的材料会分解变质。分解变质后的发光层会捕获传输中的空穴和电子,进而致使有机发光显示面板内电子和空穴复合区域发生移动,使得有机发光显示面板色坐标不稳定,有机发光显示面板的发光效率降低。
发明内容
本发明提供一种有机发光显示面板及装置,以实现提高有机发光显示面板色坐标的稳定性,提高有机发光显示面板的发光效率的目的。
本发明实施例的一方面提供了一中有机发光显示面板,该有机发光显示面板包括层叠设置的第一电极和第二电极;
所述第一电极与所述第二电极之间包括至少两个发光层,相邻两个所述发光层之间设置有第一辅助功能层和第二辅助功能层;
所述第一辅助功能层靠近所述第一电极,所述第二辅助功能层靠近所述第二电极,所述第一辅助功能层包括电子传输型主体材料,所述第二辅助功能层包括空穴传输型主体材料;
所述第一辅助功能层包括N型掺杂材料;和/或,所述第二辅助功能层包括P型掺杂材料。
本发明实施例的另一方面还提供了一种有机发光显示装置,该有机发光显示装置包括:本发明实施例提供的任意一种有机发光显示面板。
本发明实施例通过在相邻两个发光层之间设置第一辅助功能层和第二辅助功能层,解决了现有的有机发光显示面板因发光层的材料分解变质,致使有机发光显示面板内电子和空穴复合区域会发生移动,使得有机发光显示面板色坐标不稳定,有机发光显示面板发光效率降低的问题,实现了提高有机发光显示面板色坐标的稳定性以及发光效率的目的。
附图说明
图1为现有的一种有机发光显示面板的结构示意图;
图2是本发明实施例提供的一种有机发光显示面板的结构示意图;
图3是本发明实施例提供的另一种有机发光显示面板的结构示意图;
图4是本发明实施例提供的一种有机发光显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
图1为现有的一种有机发光显示面板的结构示意图。参见图1,该有机发光显示面板包括依次层叠设置的阳极11、空穴传输层12、第一发光层13、第二发光层14、电子传输层15以及阴极16。
该有机发光显示面板的工作原理为:工作时,有机发光显示面板的阳极11和阴极16之间施加一偏置电压,空穴和电子突破界面能障,分别从空穴传输层12和电子传输层15向发光层(包括第一发光层13和第二发光层14)迁移,在发光层(包括第一发光层13和第二发光层14)上,电子和空穴复合产生激子,激子不稳定,释放出能量,将能量传递给发光层(包括第一发光层13和第二发光层14)中发光材料的分子,使其从基态跃迁到激发态。激发态很不稳定,受激分子从激发态回到基态,辐射跃迁而产生发光现象。
如背景技术所述,随着工作时间的不断增加,第一发光层13和第二发光层14的材料容易发生不可逆的化学变化,如分解等,导致第一发光层13和第二发光层14的材料变质。示例性地,参见图1,若第一发光层13的材料变质,变质后的第一发光层13捕获从阳极11传输而来的空穴,致使该有机发光显示面板中电子和空穴的复合区域向阳极11侧迁移。若电子和空穴的复合区域迁移至空穴传输层12,由于空穴传输层12中未掺杂发光材料,在该处因空穴和电子的复合产生的激子衰减的过程中无法将能量传输给发光材料,造成有机发光显示面板无法正常发光,有机发光显示面板色坐标不稳定以及有机电致发光器件的发光效率低的不良现象产生。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的