[发明专利]一种有机发光显示面板及装置在审
申请号: | 201611255356.5 | 申请日: | 2016-12-30 |
公开(公告)号: | CN106783932A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 王湘成;滨田;牛晶华;何为;程爽 | 申请(专利权)人: | 上海天马有机发光显示技术有限公司;天马微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/54;H01L51/50 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 孟金喆,胡彬 |
地址: | 200120 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 发光 显示 面板 装置 | ||
1.一种有机发光显示面板,其特征在于,包括:
层叠设置的第一电极和第二电极;
所述第一电极与所述第二电极之间包括至少两个发光层,相邻两个所述发光层之间设置有第一辅助功能层和第二辅助功能层;
所述第一辅助功能层靠近所述第一电极,所述第二辅助功能层靠近所述第二电极,所述第一辅助功能层包括电子传输型主体材料,所述第二辅助功能层包括空穴传输型主体材料;
所述第一辅助功能层包括N型掺杂材料;和/或,所述第二辅助功能层包括P型掺杂材料。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述N型掺杂材料包括碱金属、碱土金属和稀土金属中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述N型掺杂材料包括镱。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,
所述第一辅助功能层中的所述N型掺杂材料的质量百分比大于等于5%,小于等于50%。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述第一辅助功能层的厚度大于等于10nm,小于等于60nm。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述P型掺杂材料包括2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌或氧化钼中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述第二辅助功能层中的所述P型掺杂材料的质量百分比大于等于1%,小于等于10%。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述第二辅助功能层的厚度大于或等于20nm,小于等于100nm。
9.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,
所述发光层包括至少一种主体材料和至少一种客体掺杂物。
10.根据权利要求9所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述发光层中所述主体材料包括中的至少一种。
11.根据权利要求9所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述发光层中所述客体掺杂物为磷光材料或荧光材料。
12.根据权利要求11所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述发光层中所述客体掺杂物为磷光材料;
所述磷光材料包括三(2-苯基吡啶)铱(III)、双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱或双(2-(2'-苯并噻吩基)吡啶-N,C3')(乙酰丙酮)合铱中的至少一种。
13.根据权利要求12所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述发光层的厚度大于或等于20nm,小于等于40nm。
14.根据权利要求11所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述发光层中所述客体掺杂物为荧光材料;
所述荧光材料包括中的至少一种。
15.根据权利要求14所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述发光层的厚度大于或等于15nm,小于等于40nm。
16.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述有机发光显示面板还包括第三辅助功能层和/或第四辅助功能层;
所述第三辅助功能层位于所述第一电极和最靠近所述第一电极的所述发光层之间,所述第三辅助功能层包括空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层中的至少一种;
所述第四辅助功能层位于所述第二电极和最靠近所述第二电极的所述发光层之间,所述第四辅助功能层包括电极注入层、电子传输层和空穴阻挡层中的至少一种。
17.一种有机发光显示装置,其特征在于,包括权利要求1-16任一项所述的有机发光显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的