[发明专利]一种用于降低固态存储读延迟的操作方法有效
申请号: | 201611249020.8 | 申请日: | 2016-12-29 |
公开(公告)号: | CN106708441B | 公开(公告)日: | 2019-06-21 |
发明(设计)人: | 陈非欧 | 申请(专利权)人: | 至誉科技(武汉)有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 | 代理人: | 胡娟 |
地址: | 430070 湖北省武汉市武汉东湖新技*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 命令队列 发送 延迟 固态存储 读操作 常规操作命令 擦除操作 操作数据 发送命令 数据通路 硬件结合 仲裁机制 状态反馈 写操作 队列 取出 响应 | ||
1.一种用于降低固态存储读延迟的操作方法,其特征在于:固件通过CPU向NAND控制器发送常规操作命令队列,NAND控制器经过仲裁机制从命令队列中取出命令,然后向NANDflash发送命令,并通过数据通路向NAND flash发送或者读取数据,同时将固件此前向命令队列发送的page写操作或者page擦除操作的NAND介质的状态和NAND控制器的状态反馈给CPU,再通过Bypass命令队列向NAND控制器发送读操作;
在page写操作或者page擦除操作正好完成时,固件通过Bypass命令队列将读命令发送至NAND控制器,NAND控制器经过仲裁机制优先执行Bypass命令队列中的读命令,从而加速读操作的执行;
固件通过计时器判断page写操作或者page擦除操作执行状态,根据执行状态的不同,固件通过暂停、取消或等待page写操作或者page擦除操作,从而加速读操作的执行。
2.根据权利要求1所述的一种用于降低固态存储读延迟的操作方法,其特征在于:在执行状态未超过预设节点时,暂停或取消page写操作或者page擦除操作的执行,在执行状态超过预设节点时,等待page写操作或者page擦除操作的执行。
3.根据权利要求2所述的一种用于降低固态存储读延迟的操作方法,其特征在于:所述固件通过计时器判断page写或page擦除操作执行未超过预设节点时,固件把当前page写操作或者page擦除操作记录下来,并通过Bypass命令队列向NAND控制器发送暂停写page写操作或者page擦除操作的指令,然后固件通过Bypass命令队列向NAND控制器发送读操作,执行需要加速的读操作,当执行完之后,固件再根据执行记录,通过Bypass命令队列发送恢复之前正在执行的page写操作或者page擦除操作;对于不支持暂停page写操作或者page擦除操作的NAND介质,NAND介质发送取消page写操作或者page擦除操作,通过Bypass命令队列重新发送之前取消的写操作或者擦除操作,然后固件通过Bypass命令队列向NAND控制器发送读操作,执行需要加速的读操作,当执行完之后,固件再根据执行记录,通过Bypass命令队列重新发送之前取消的page写或page擦除操作。
4.根据权利要求2所述的一种用于降低固态存储读延迟的操作方法,其特征在于:固件通过计时器判断到page写操作或者page擦除操作执行超过预设节点时,不足以通过Bypass命令队列的方式中断操作,固件在等待page写操作或者page擦除操作执行完之后,再通过Bypass命令队列或者常规命令队列发送读操作。
5.根据权利要求2所述的一种用于降低固态存储读延迟的操作方法,其特征在于:所述预设节点为page写或page擦除操作执行一半。
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