[发明专利]一种阵列基板、显示面板以及短路的检测方法

说明书

本发明公开了一种具有新型的像素结构的阵列基板、显示面板以及该显示面板的分压电容电极短路的检测方法。其中，所述阵列基板的所述像素结构包括依次排列的多个子像素，每一所述子像素包括主区、次区以及分压电容；其中，任一所述子像素的所述分压电容设置于同一行的相邻另一所述子像素的所述次区的下方。通过上述方式，使像素电极的短路只会发生在不同子像素的分压电容与次区之间，从而在阵列测试中更易于检查出缺陷像素。

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，特别是涉及一种具有像素结构的阵列基板、显示面板以及该显示面板的分压电容电极短路的检测方法。

背景技术

VA(Vertical Alignment)模式赋予了TFT-LCD非常高的正面对比度，但在侧面观看时，由于VA模式液晶分子在垂直方向转动的特点，导致VA的对比度下降十分明显，不同视角下会出现明显的色偏现象。大视角是VA模式液晶显示器的一贯追求，最常见的做法就是8畴技术的低色结构，使次区像素电位低于主区的像素电位，以降低部分区域亮度的代价换取大视角技术。为了使得次区像素电位低于主区，“电荷分享”是VA类型TFT-LCD显示面板常用的大视角改善方案。常见的采用“电荷分享”方式的像素结构中，像素开口区分为主区和次区，当充电扫描线开启时，数据信号线向主区和次区的像素电极充电，然后充电扫描线关闭，电荷共享扫描线开启，分压电容与次区像素电极导通，分担一部分次区像素电极上原本充满的电荷，使次区像素电极的电压降低到适当比例。

在TFT-LCD产品中，分压电容经常采用MII电容结构，MII电容结构为：M1，G-SiNx，PA-SiNx，ITO。且在常规的MII的像素设计中，分压电容的ITO与本身像素的Sub区ITO相邻设置，较容易发生短路，但是由于像素电压变化小，常规的阵列检测(Array Test)无法检出，从而无法及时对其进行修补，影响产品品质。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种具有像素结构的阵列基板、具有该阵列基板的显示面板以及该显示面板的分压电容电极短路的检测方法，能够在阵列测试中很容易检查出缺陷像素，从而能够及时对产品进行修补，保证产品品质。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是提供一种具有像素结构的阵列基板，所述阵列基板的所述像素结构包括依次排列的多个子像素，每一所述子像素包括电连接的主区、次区以及分压电容；其中，任一所述子像素的所述分压电容设置于同一行的相邻另一所述子像素的所述次区的下方。

其中，所述子像素包括对应于不同显示色彩的第一子像素、第二子像素和第三子像素；所述第一子像素的所述分压电容设置于同一行的相邻的所述第三子像素或者所述第二子像素的所述次区的下方；所述第二子像素的所述分压电容设置于同一行的相邻的所述第一子像素或者所述第三子像素的所述次区的下方；所述第三子像素的所述分压电容设置于同一行的相邻的所述第二子像素或者所述第一子像素的所述次区的下方。

其中，每一所述子像素包括对应于不同显示色彩的第一子像素、第二子像素和第三子像素；第N个所述第一子像素的所述分压电容设置于同一行的相邻的第N个所述第二子像素的所述次区的下方；第N个所述第二子像素的所述分压电容设置于同一行的相邻的第N个所述第三子像素的所述次区的下方；第N个所述第三子像素的所述分压电容设置于同一行的相邻的第N+1个所述第一子像素的所述次区的下方；其中：N为大于或等于1的正整数。

其中，每一所述子像素包括对应于不同显示色彩的第一子像素、第二子像素和第三子像素；第N个所述第一子像素的所述分压电容设置于同一行的相邻的第N-1个所述第三子像素的所述次区的下方；第N个所述第二子像素的所述分压电容设置于同一行的相邻的第N个所述第一子像素的所述次区的下方；第N个所述第三子像素的所述分压电容设置于同一行的相邻的第N个所述第二子像素的所述次区的下方；其中：N为大于3的正整数。