[发明专利]半导体存储器装置

说明书

本发明实施例提供一种半导体存储器装置。存储器单元阵列以行和列布置，且包括第一子阵列和第二子阵列。第一对互补位线CBL沿着列从所述阵列的第一侧延伸，且终止于所述第一与第二子阵列之间。第二对CBL从所述阵列的所述第一侧沿着所述列延伸到所述阵列的第二侧。所述第二对CBL中的CBL在所述第一与第二子阵列之间具有阶梯式轮廓。第三对CBL和第四对CBL沿着所述列延伸。所述第一和第三对CBL电耦合到所述第一子阵列中的存储器单元，且所述第二和第四对CBL电耦合到所述第二子阵列中的存储器单元。

技术领域

本发明实施例涉及半导体技术领域，特别涉及半导体存储器装置。

背景技术

半导体存储器为基于半导体的集成电路上实施的电子数据存储装置。半导体存储器具有许多不同类型，且具有比其它数据存储技术快的存取时间。举例来说，数据的字节通常可在数纳秒内写入到半导体存储器或从半导体存储器读取，而旋转存储装置(例如硬盘)的存取时间处于毫秒范围内。出于(尤其)这些原因，半导体存储器用作供计算机保存计算机当前正作用于的数据(以及其它用途)的主存储机构。

发明内容

本发明的一实施例为提供一种半导体存储器装置，其包括：

存储器单元阵列，其以行和列布置，其中阵列包含第一存储器单元子阵列和第二存储器单元子阵列；

第一对互补位线CBL，其沿着阵列的列从阵列的第一侧延伸，且终止于第一与第二子阵列之间，其中第一对CBL电耦合到列中的第一子阵列的存储器单元；

第二对CBL，其从阵列的第一侧沿着列延伸到阵列的第二侧，其中第二对CBL电耦合到列中的第二子阵列的存储器单元，且其中第二对CBL中的CBL在第一与第二子阵列之间具有阶梯式轮廓；以及

第三对CBL和第四对CBL，其沿着列延伸，其中第三和第四对CBL分别电耦合到列中的第一子阵列的存储器单元和列中的第二子阵列的存储器单元。

本发明的另一实施例为提供一种半导体存储器装置，其包括：

存储器单元阵列，其以行和列布置，其中阵列包含第一存储器单元子阵列和第二存储器单元子阵列；

第一对互补位线CBL，其沿着阵列的列从阵列的第一侧延伸，且终止于第一与第二子阵列之间，其中第一对CBL电耦合到列中的第一子阵列的存储器单元；

第二对CBL，其从阵列的第一侧沿着列延伸到阵列的第二侧，其中第二对CBL电耦合到列中的第二子阵列的存储器单元；

第三对CBL和第四对CBL，其沿着列延伸，其中第三和第四对CBL分别电耦合到列中的第一子阵列的存储器单元和列中的第二子阵列的存储器单元；以及

扭曲单元，其经配置以扭曲分别来自沿着列延伸的两对CBL的一对相邻位线，其中两对CBL对应于第一、第二、第三和第四对CBL中的两者。

本发明的又一实施例为提供一种半导体存储器装置，其包括：

存储器单元阵列，其以行和列布置，其中阵列包含第一存储器单元子阵列和第二存储器单元子阵列；

第一对互补位线CBL，其沿着阵列的列从阵列的第一侧延伸，且终止于第一与第二子阵列之间，其中第一对CBL电耦合到列中的第一子阵列的存储器单元；

第二对CBL，其从阵列的第一侧沿着列延伸到阵列的第二侧，其中第二对CBL电耦合到列中的第二子阵列的存储器单元，且其中第二对CBL中的CBL在第一与第二子阵列之间具有阶梯式轮廓；

第三对CBL和第四对CBL，其沿着列延伸，其中第三和第四对CBL分别电耦合到第一子阵列的存储器单元和第二子阵列的存储器单元，且其中第三或第四对CBL中的CBL在第一与第二子阵列之间具有阶梯式轮廓；以及