[发明专利]半导体存储器装置

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，其包括：

存储器单元阵列，其以行和列布置，其中所述存储器单元阵列包含第一子阵列和第二子阵列；

第一对互补位线，其沿着所述阵列的列从所述阵列的第一侧延伸，且终止于所述第一子阵列与所述第二子阵列之间，其中所述第一对互补位线电耦合到所述列中的所述第一子阵列的存储器单元；

第二对互补位线，其从所述阵列的所述第一侧沿着所述列延伸到所述阵列的第二侧，其中所述第二对互补位线电耦合到所述列中的所述第二子阵列的存储器单元，且其中所述第二对互补位线中的所述互补位线在所述第一子阵列与所述第二子阵列之间具有阶梯式轮廓；以及

第三对互补位线和第四对互补位线，其沿着所述列延伸，其中所述第三对互补位线电耦合到所述列中的所述第一子阵列的所述存储器单元，所述第四对互补位线电耦合到所述列中的所述第二子阵列的所述存储器单元。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述第三对互补位线沿着所述列从所述阵列的所述第一侧延伸，且终止于所述第一子阵列与所述第二子阵列之间，且其中所述第四对互补位线从所述阵列的所述第一侧沿着所述列延伸到所述阵列的所述第二侧，且其中所述第四对互补位线中的所述互补位线在所述第一子阵列与所述第二子阵列之间具有阶梯式轮廓。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述第三对互补位线从所述阵列的所述第二侧沿着所述列延伸到所述阵列的所述第一侧，且其中所述第三对互补位线中的所述互补位线在所述第一子阵列与所述第二子阵列之间具有阶梯式轮廓，且其中所述第四对互补位线沿着所述列从所述阵列的所述第二侧延伸，且终止于所述第一子阵列与所述第二子阵列之间。

4.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，其进一步包括：

第一多路复用器，其在所述阵列的所述第一侧上且经配置以在所述第一对互补位线与所述第二对互补位线之间进行选择；以及

第二多路复用器，其在所述阵列的所述第二侧上且经配置以在所述第三对互补位线与所述第四对互补位线之间进行选择。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述第二对互补位线中的互补位线包括：

飞跨位线片段，其沿着所述列从所述阵列的所述第一侧横向地延伸，且终止于所述第一子阵列与所述第二子阵列之间；

局部位线片段，其从所述第一子阵列与所述第二子阵列之间沿着所述列横向地延伸到所述阵列的所述第二侧，其中所述局部位线片段在正交于所述行和所述列的方向上在所述飞跨位线片段下方隔开；以及

跨接单元，其在所述第一子阵列与所述第二子阵列之间，其中所述跨接单元将所述飞跨位线片段电耦合到所述局部位线片段。

6.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，其中所述飞跨位线片段和所述局部位线片段在平行于所述行的方向上横向地隔开。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其进一步包括：

扭曲单元，其经配置以扭曲分别来自沿着所述列延伸的两对互补位线的相邻位线，其中所述两对互补位线对应于所述第一、第二、第三和第四对互补位线中的两者。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器装置，其中所述相邻位线包括沿着第一轴线延伸到所述扭曲单元的第一位线，并且进一步包括沿着平行于所述第一轴线和所述列的第二轴线延伸到所述扭曲单元的第二位线，其中所述第一位线沿着所述第二轴线从所述扭曲单元延伸，且其中所述第二位线沿着所述第一轴线从所述扭曲单元延伸。

9.根据权利要求8所述的半导体存储器装置，其中所述扭曲单元在所述列中的所述第一子阵列的所述存储器单元之间隔开，其中所述两对互补位线对应于所述第一和第三对互补位线，且其中所述第二或第四对互补位线包括沿着平行于所述第一和第二轴线且在所述第一与第二轴线之间的第三轴线延伸的位线，且其中所述位线在沿着所述第三轴线延伸的同时在所述扭曲单元上方延伸。