[发明专利]硅基MEMS碟形陀螺在审
申请号: | 201611244538.2 | 申请日: | 2016-12-29 |
公开(公告)号: | CN106629576A | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | 王浩;权海洋;张奇荣;叶泽刚;朱红 | 申请(专利权)人: | 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所 |
主分类号: | B81B7/02 | 分类号: | B81B7/02;G01C19/56 |
代理公司: | 中国航天科技专利中心11009 | 代理人: | 范晓毅 |
地址: | 100076 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 硅基 mems 陀螺 | ||
技术领域
本发明涉及MEMS(Micro-Electro Mechanical System)传感器技术领域,尤其涉及一种硅基MEMS碟形陀螺。
背景技术
近年来,MEMS陀螺由于其功耗低、体积小、成本低等优点,逐渐成为惯性传感器热点。MEMS环形陀螺作为一种特殊的角速度传感器,由于其结构具有圆周对称特性,具有质量、刚度、谐振频率中心对称的优点,模态匹配性好,抗过载能力强,成为军用MEMS陀螺的重要研究方向。
但是现有的MEMS环形陀螺精度普遍不高,难以达到战术级武器要求。且现有MEMS环形陀螺零偏、零偏稳定性、零偏重复性等随环境温度影响很大,无法适应复杂多变的作战环境。
发明内容
本发明解决的技术问题是:相比于现有技术,提供了一种硅基MEMS碟形陀螺,使得检测精度高和温度效应低。
本发明目的通过以下技术方案予以实现:一种硅基MEMS碟形陀螺,包括:敏感结构、盖帽层、衬底层、金属层和绝缘层;其中,所述绝缘层与所述衬底层的上表面相连接;所述金属层与所述绝缘层相连接;所述金属层刻蚀有第一金属触点和第二金属触点;所述敏感结构与第一金属触点、第二金属触点相连接;所述盖帽层罩于所述敏感结构并与所述金属层相连接。
上述硅基MEMS碟形陀螺中,所述敏感结构包括中心锚点、若干个同心可动圆环、辐条和电极;其中,若干个同心可动圆环以中心锚点的中心为圆心径向分布;中心锚点通过辐条与相邻的同心可动圆环相连接;相邻的两个同心可动圆环通过辐条相连接,相邻的同心可动圆环与辐条之间形成凹槽;在凹槽内设置有电极;中心锚点与第一金属触点相连接;电极与第二金属触点相连接。
上述硅基MEMS碟形陀螺中,连接相邻的两个同心可动圆环的辐条的数量为多个,多个辐条沿同心可动圆环的圆周均匀分布。
上述硅基MEMS碟形陀螺中,还包括:吸气剂层,所述吸气剂层设置于所述盖帽层的内壁。
上述硅基MEMS碟形陀螺中,所述绝缘层的材料为硅。
上述硅基MEMS碟形陀螺中,所述敏感结构采用<1 1 1>晶向的硅片加工而成,厚度为30um~300um。
上述硅基MEMS碟形陀螺中,所述盖帽层的材料为硅。
上述硅基MEMS碟形陀螺中,所述凹槽的深宽比大于10:1。
本发明与现有技术相比具有如下有益效果:
(1)本发明的碟形陀螺具有十几个甚至几十个同心圆环,这些圆环之间的沟槽均可以放置电极作为检测电极,相对于传统环形陀螺,检测电容面积可以提高一至二个数量级,检测电容的提高,将会大大提高检测精度,最终提高陀螺器件的精度;
(2)本发明的碟形陀螺相对于现有环形陀螺具有更大的质量,较大的质量会降低机械噪声,提高陀螺检测精度;
(3)本发明的碟形陀螺采用圆片级真空封装,其中盖帽层、敏感结构层、衬底层均采用硅材料,相同的材料层具有相同的热膨胀系数,可以大大减小由温度效应引起的零位漂移,同时也可有效降低由高温工艺产生的热应力,提高陀螺零偏重复性;
(4)由于本发明中碟形陀螺敏感结构的特殊性,具有更小的热弹性阻尼,在真空环境下Q值很高,可以达到10万以上,较普通环形陀螺的Q值可以提高一个数量级,大大提高检测灵敏度。
附图说明
图1是本发明的硅基MEMS碟形陀螺的结构示意图;
图2是本发明的敏感结构的结构示意图;
图3(a)是本发明的碟形陀螺敏感结构振型示意图;
图3(b)是本发明的碟形陀螺敏感结构振型又一示意图;
图4(a)是本发明的碟形陀螺敏感结构振型仿真示意图;
图4(b)是本发明的碟形陀螺敏感结构振型又一仿真示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步详细说明:
图1是本发明的硅基MEMS碟形陀螺的结构示意图。如图1所示,该硅基MEMS碟形陀螺包括:敏感结构、盖帽层7、衬底层8、金属层9和绝缘层10;其中,绝缘层10与衬底层8的上表面相连接;金属层9与绝缘层10相连接;金属层9刻蚀有第一金属触点12和第二金属触点13;敏感结构与第一金属触点12、第二金属触点13相连接;盖帽层7罩于敏感结构并与金属层9相连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所,未经北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611244538.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:旁热式微传感器及其制造方法
- 下一篇:一种MEMS红外光源及其制作方法