[发明专利]制造嵌入式闪存单元的均匀的隧道电介质的方法

说明书

本发明实施例涉及一种形成嵌入式闪存单元的方法以及相关的装置，该方法通过提供具有相对均匀厚度的隧道介电层提供改进的性能。通过在衬底内的逻辑区、控制栅极区和选择栅极区上方形成电荷捕获介电结构来实施该方法。实施第一电荷捕获介电蚀刻工艺以在逻辑区上方的电荷捕获介电结构中形成开口，并且在开口内形成热栅极介电层。实施第二电荷捕获介电蚀刻工艺以去除位于选择栅极区上方的电荷捕获介电结构。在第二电荷捕获介电蚀刻工艺之后剩余的热栅极介电层和电荷捕获介电结构上方形成栅电极。本发明实施例涉及制造嵌入式闪存单元的均匀的隧道电介质的方法。

技术领域

本发明实施例涉及制造嵌入式闪存单元的均匀的隧道电介质的方法。

背景技术

嵌入式存储器是与通常的集成电路(IC)管芯或芯片上的逻辑器件集成的电子存储器。嵌入式存储器能够支持逻辑器件的操作，并且经常与非常大规模的集成(VLSI)IC管芯或芯片一起使用。该集成通过消除芯片之间的互连结构有利地改进了性能，并且通过在嵌入式存储器和逻辑器件之间共享处理步骤有利地降低了制造成本。

发明内容

根据本发明的一些实施例，提供了一种形成集成芯片的方法，包括：在衬底内的逻辑区、控制栅极区和选择栅极区上方形成电荷捕获介电结构；实施第一电荷捕获介电蚀刻工艺以在所述逻辑区上方的所述电荷捕获介电结构中形成开口；在所述开口内形成热栅极介电层；实施第二电荷捕获介电蚀刻工艺以去除位于所述选择栅极区上方的所述电荷捕获介电结构；以及在所述热栅极介电层和所述电荷捕获介电结构上方形成多个栅电极。

根据本发明的另一些实施例，还提供了一种形成集成芯片的方法，包括：在衬底内形成高压阱、控制阱和选择阱；在所述高压阱、所述控制阱和所述选择阱上方形成电荷捕获介电结构；实施第一电荷捕获介电蚀刻工艺以在所述高压阱上方的所述电荷捕获介电结构中形成开口；在所述高压阱上方热生长高压栅极介电层；以及在热生长所述高压栅极介电层之后实施第二电荷捕获介电蚀刻工艺以去除所述选择阱上方的所述电荷捕获介电结构。

根据本发明的又一些实施例，还提供了一种集成芯片，包括：控制栅电极，通过电荷捕获介电结构与衬底分离；选择栅电极，通过一个或多个额外的栅极介电层与所述衬底分离；以及逻辑栅电极，通过热栅极介电层与所述衬底分离，其中，所述衬底具有位于所述热栅极介电层下面的第一上表面，所述第一上表面相对于所述控制栅电极和所述选择栅电极下面的所述衬底的平坦的上表面凹进。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。

图1A至图1C示出包括嵌入式闪存单元的集成芯片的一些实施例。

图2示出包括嵌入式闪存单元的集成芯片的一些额外实施例的截面图。

图3示出包括嵌入式闪存单元的集成芯片的一些额外实施例的截面图。

图4A至图4B示出包括嵌入式闪存单元阵列的集成芯片的一些额外实施例。

图5至图22示出形成包括嵌入式闪存单元的集成芯片的方法的一些实施例的截面图。

图23示出形成包括嵌入式闪存单元的集成芯片的方法的一些实施例。

图24示出形成包括嵌入式闪存单元的集成芯片的方法的一些额外实施例。

具体实施方式