[发明专利]一种含有光提取膜附着力促进层的OLED器件在审
申请号: | 201611234982.6 | 申请日: | 2016-12-28 |
公开(公告)号: | CN106816550A | 公开(公告)日: | 2017-06-09 |
发明(设计)人: | 田元生;刘玉龙 | 申请(专利权)人: | 南京第壹有机光电有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人: | 卢霞 |
地址: | 210000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有光 提取 附着力 促进 oled 器件 | ||
技术领域:
本发明涉及一种OLED器件,尤其涉及一种含有光提取膜和附着力促进层的OLED器件。
背景技术:
有机发光二极管(OLED)以发光效率高、反应快、视角广、节能环保、健康无蓝光危害等独特优势正在受到越来越多的关注,其有望取代节能灯、LED等成为第四代照明及特种光源。
OLED器件的构造一般包括一个玻璃基板,在玻璃基板上制作一层底电极、上面制作多层有机发光材料及一层顶电极,在两电极间通电后器件会发光; 所谓底发光器件中的底电极是透明或半透明的,器件发的光透过底电极和玻璃基板射出做为显示或照明所用, OLED器件在光学上是由不同折射率的多层薄膜组成的,其中发光层的光折射率在1.7~1.8,透明电极的光折射率在1.9,玻璃基板的光折射率在1.5。当光从高折射率层进入低折射率层时,其中入射角度大于临界角部分的光会发生全反射而无法进入低折射层,在透明电极与玻璃基板界面、玻璃基板与空气界面便会发生全反射现象,所以有机层发的光有相当一部分不能到达外界。据估计,一般情况下OLED器件产生的光只有20% 到达空气供人们使用。同时,困在器件内部的光线会产生热,减短器件的寿命。所以,利用光提取膜在增加能效的同时还会对OLED器件的品质有很大提升,意义重大。
现有技术中,一种有效的提高出光效率的手段是在器件的表面覆盖一层含有散射能力的光提取膜,光提取膜的散射作用减少了玻璃和空气界面的全反射使更多的光线传输出来。一种有效的光提取膜是用高分子聚合物的载体中混合了散光颗粒制作的,散光颗粒与载体有不同的折射率,导致光的散射,让更多的光打破了临界角的限制进入空气中。光提取膜可以直接用涂抹法制作在玻璃的表面,直接在器件表面制备光提取膜方法比较简单,效果很好而成本较低。但是由于散光颗粒与高分子聚合物为非均相体系,要获得较高的硬度则在玻璃上的附着力会很差;增强附着力则使得光提取膜的硬度变差,膜较容易刮伤,光提取效率会受到影响,因此在硬度与附着力之间很难找到均衡。本发明在光提取膜与OLED器件之间增加了一层附着力促进层,可以得到较高硬度与较强附着力的光提取膜,而光提取效率也不会受到影响。
发明内容
本发明的发明目的是克服现有技术的不足,提供一种包含高硬度、高附着力、性能稳定光提取膜的OLED器件。
本发明的技术方案如下:
一种含有光提取膜附着力促进层的OLED器件,包含:
a)玻璃基板(100);
b)制作于玻璃基板上的OLED器件(101),该器件为底发光器件,所发的光通过玻璃基板射入空气;
c)设在玻璃基板上没有OLED器件的一侧的光提取膜(102);
d)设在光提取膜(102)和玻璃基板(100)之间的附着力促进层(103)。
优选地,
所述的附着力促进层的主要组成为金属氧化物。
所述的金属氧化物选自氧化锡、氧化铟、氧化铟锡ITO、氧化铝、氧化锌或氧化锆。
所述的附着力促进层的主要组成为氧化铟锡ITO,ITO中铟与锡元素的重量比例在0/1 和1/0 之间;所述的附着力促进层的厚度范围在0.1-200纳米之间。
所述的附着力促进层为氧化铟锡ITO薄膜,所述的ITO中铟与锡元素的重量比例为9:1,厚度在1nm。
所述的附着力促进层为氧化铟锡ITO薄膜,所述的ITO中铟与锡元素的重量比例为1:9,厚度在150nm。
所述的附着力促进层通过溅镀到玻璃基板而形成。
所述的光提取膜的主要组成为散光颗粒及高分子聚合物;所述的散光颗粒是由与高分子聚合物折射率不同的材料制成,分散在高分子聚合物中;所述的光提取膜的厚度为0.5~5微米。
所述的散光颗粒的材料选自氧化钛、氧化锌、氧化锆中的一种或两种的组合;所述的散光颗粒的粒径范围在5到1000纳米之间。
所述的散光颗粒的粒径范围在30到100纳米之间。
所述的高分子聚合物选自聚丙烯酸树脂、环氧树脂、聚氨酯、异氰酸酯中的一种或两种的组合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择