[发明专利]一种含有光提取膜附着力促进层的OLED器件在审
| 申请号： | 201611234982.6 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN106816550A | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 田元生;刘玉龙 | 申请（专利权）人： | 南京第壹有机光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人： | 卢霞 |
| 地址： | 210000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 有光 提取 附着力 促进 oled 器件 | ||
1.一种含有光提取膜附着力促进层的OLED器件，其特征在于，包含：
玻璃基板（100）；
制作于玻璃基板上的OLED器件（101），该器件为底发光器件，所发的光通过玻璃基板射入空气；
设在玻璃基板上没有OLED器件的一侧的光提取膜（102）；
设在光提取膜（102）和玻璃基板（100）之间的附着力促进层（103）。
2.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于：所述的附着力促进层的主要组成为金属氧化物。
3.根据权利要求2所述的OLED器件，其特征在于：所述的金属氧化物选自氧化锡、氧化铟、氧化铟锡ITO、氧化铝、氧化锌或氧化锆。
4.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于：所述的附着力促进层的主要组成为氧化铟锡ITO，ITO中铟与锡元素的重量比例在0/1 和1/0 之间；所述的附着力促进层的厚度范围在0.1-200纳米之间。
5.根据权利要求4所述的OLED器件，其特征在于：所述的附着力促进层为氧化铟锡ITO薄膜，所述的ITO中铟与锡元素的重量比例为9：1，厚度在1nm。
6.根据权利要求4所述的OLED器件，其特征在于：所述的附着力促进层为氧化铟锡ITO薄膜，所述的ITO中铟与锡元素的重量比例为1：9，厚度在150nm。
7.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于：所述的附着力促进层通过溅镀到玻璃基板而形成。
8.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于：所述的光提取膜的主要组成为散光颗粒及高分子聚合物；所述的散光颗粒是由与高分子聚合物折射率不同的材料制成，分散在高分子聚合物中；所述的光提取膜的厚度为0.5~5微米。
9.根据权利要求7所述的OLED器件，其特征在于：所述的散光颗粒的材料选自氧化钛、氧化锌、氧化锆中的一种或两种的组合；所述的散光颗粒的粒径范围在5到1000纳米之间。
10.根据权利要求8所述的OLED器件，其特征在于：所述的散光颗粒的粒径范围在30到100纳米之间。
11.根据权利要求7所述的OLED器件，其特征在于：所述的高分子聚合物选自聚丙烯酸树脂、环氧树脂、聚氨酯、异氰酸酯中的一种或两种的组合。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
