[发明专利]发光二极体晶片

说明书

本发明提供一种发光二极体晶片，包括P型半导体层、发光层、N型半导体层及第一金属电极。发光层配置于P型半导体层与N型半导体层之间。N型半导体层包括第一N型半导体子层、第二N型半导体子层及欧姆接触层，其中欧姆接触层配置于第一N型半导体子层与第二N型半导体子层之间。第一金属电极配置于第一N型半导体子层上，第一N型半导体子层的位于第一金属电极与欧姆接触层之间的区域中含有从第一金属电极扩散而来的金属原子，以使第一金属电极与欧姆接触层形成欧姆接触。本发明的发光二极体晶片具有高出光效率。

技术领域

本发明涉及一种发光元件，且特别涉及一种发光二极体晶片。

背景技术

随着光电技术的演进，传统的白炽灯泡与萤光灯管已逐渐被新一代的固态光源例如是发光二极体(light-emitting diode,LED)所取代，其具有诸如寿命长、体积小、高抗震性、高光效率及低功率消耗等优点，因此已经广泛在家用照明及各种设备中作为光源使用。除了液晶显示器的背光模组与家用照明灯具已广泛采用发光二极体作为光源之外，近年来，发光二极体的应用领域已扩展至道路照明、大型户外看板、交通号志灯、UV固化及相关领域。发光二极体已经成为发展兼具省电及环保功能的光源的主要项目之一。

而在LED领域中，发展出一种将原本发光二极体晶片的尺寸缩小许多，而被称为微型发光二极体(micro-LED)的新技术。当应用于在显示技术的领域中，以红、蓝、绿的微型发光二极体晶片当作显示子像素，将这些多个可独立发光的微型发光二极体晶片排列成显示画面的显示技术，即为微型发光二极体显示器的技术。

对于大尺寸的红光发光二极体晶片而言，其N型半导体层的一侧的砷化镓层是用以做为欧姆接触层用，以增加电极的导电性。但由于包括砷化镓层在内的N型半导体层厚度一般来说都太厚，因此容易导致吸光且电流传导效率较差。然而，当红光发光二极体晶片缩小至微型发光二极体的尺寸时，这些N型半导体层吸光且电流传导效率差的情况会更明显，进而导致微发光二极体的出光率大幅下降。

发明内容

本发明提供一种发光二极体晶片，其具有高出光效率。

本发明的一实施例提出一种发光二极体晶片，包括P型半导体层、发光层、N型半导体层及第一金属电极。发光层配置于P型半导体层与N型半导体层之间。N型半导体层包括第一N型半导体子层、第二N型半导体子层及欧姆接触层，其中欧姆接触层配置于第一N型半导体子层与第二N型半导体子层之间。第一金属电极配置于第一N型半导体子层上，第一N型半导体子层的位于第一金属电极与欧姆接触层之间的区域中含有从第一金属电极扩散而来的金属原子，以使第一金属电极与欧姆接触层形成欧姆接触。

在本发明的实施例的发光二极体晶片中，第一N型半导体子层的位于第一金属电极与欧姆接触层之间的区域中含有从第一金属电极扩散而来的金属原子，以使第一金属电极与欧姆接触层形成欧姆接触。因此，本发明的实施例可有效减少半导层厚度不致于吸光，且可以有较好的电流传导效率。所以，本发明的实施例的发光二极体晶片具有较高的出光效率。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所示附图作详细说明如下。

附图说明

图1A为本发明的一实施例的发光二极体晶片的剖面示意图；

图1B为图1A的发光二极体晶片的上视图；

图2A为本发明的另一实施例的发光二极体晶片的剖面示意图；

图2B为图2A的发光二极体晶片的上视示意图；

图3为本发明的又一实施例的发光二极体晶片的剖面示意图。

附图标记说明：

100、100a、100b：发光二极体晶片

110、110b：P型半导体层

112：P型披覆层