[发明专利]发光二极体晶片有效
| 申请号： | 201611234809.6 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108258096B | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 吴俊德;罗玉云 | 申请（专利权）人： | 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 开曼群岛大开曼岛,大展馆商业中心,奥林德道*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 二极体 晶片 | ||
1.一种发光二极体晶片，其特征在于，包括：
P型半导体层；
发光层；
N型半导体层，该发光层配置于该P型半导体层与该N型半导体层之间，该N型半导体层包括：
第一N型半导体子层；
第二N型半导体子层，其中该第一N型半导体子层的化学通式为掺杂硅的(AlzGa1-z)0.5In0.5P，该第二N型半导体子层的化学通式为掺杂硅的(AlaGa1-a)0.5In0.5P，其中0z≤1，且0a≤1；以及
欧姆接触层，该欧姆接触层为N型砷化镓层，配置于该第一N型半导体子层与该第二N型半导体子层之间，该欧姆接触层的禁带小于该第一N型半导体子层的禁带与该第二N型半导体子层的禁带；以及
第一金属电极，配置于该第一N型半导体子层上，其中该第一N型半导体子层的位于该第一金属电极与该欧姆接触层之间的区域中含有从该第一金属电极扩散而来的金属原子，以使该第一金属电极与该欧姆接触层形成欧姆接触。
2.根据权利要求1所述的发光二极体晶片，其特征在于，该金属原子在该区域的靠近该欧姆接触层的一侧的浓度小于该区域的远离该欧姆接触层的一侧的浓度。
3.根据权利要求1所述的发光二极体晶片，其特征在于，该欧姆接触层的厚度小于等于60纳米。
4.根据权利要求1所述的发光二极体晶片，其特征在于，该N型半导体层还包括N型披覆层，配置于该第一N型半导体子层与该发光层之间，且该第一N型半导体子层配置于该N型披覆层与该欧姆接触层之间。
5.根据权利要求1所述的发光二极体晶片，其特征在于，该N型半导体层还包括N型披覆层，配置于该第二N型半导体子层与该发光层之间，且该第二N型半导体子层配置于该N型披覆层与该欧姆接触层之间。
6.根据权利要求1所述的发光二极体晶片，其特征在于，该发光二极体晶片的所有半导体层的总厚度除以该发光二极体晶片的最大宽度所得到的比值是落在0.2至1.5的范围内。
7.根据权利要求1所述的发光二极体晶片，其特征在于，该P型半导体层的厚度除以该发光二极体晶片的所有半导体层的总厚度所得到的比值是落在0.05至0.2的范围内。
8.根据权利要求7所述的发光二极体晶片，其特征在于，该P型半导体层包括P型披覆层和掺杂碳的P型接触层，且该P型披覆层配置于该P型接触层与该发光层之间。
9.根据权利要求1所述的发光二极体晶片，其特征在于，该第一N型半导体子层、该欧姆接触层与该第二N型半导体子层皆含有从该第一金属电极扩散而来的金属原子。
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