[发明专利]一种10B富集的ZrB2溅射靶材的制备方法及应用有效
申请号: | 201611227415.8 | 申请日: | 2016-12-27 |
公开(公告)号: | CN106588023B | 公开(公告)日: | 2019-10-01 |
发明(设计)人: | 王星明;刘宇阳;杨磊;彭程;白雪;桂涛;储茂友 | 申请(专利权)人: | 北京有色金属研究总院 |
主分类号: | C04B35/58 | 分类号: | C04B35/58;C04B35/645;C23C14/35 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人: | 朱琨 |
地址: | 100088 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 10 富集 zrb2 溅射 制备 方法 应用 | ||
1.一种10B富集的ZrB2溅射靶材的制备方法,其特征在于,该方法步骤如下:
1)制备10B富集的ZrB2粉体;
2)将10B富集的ZrB2粉体装入高强石墨模具中;
3)在惰性气氛保护下热压烧结,烧结的温度为1800~2100℃,加热方式为中频感应加热,加热功率大于350KW,热压烧结的压力为30~100MPa,通过双向加压实现;
4)热压烧结的ZrB2陶瓷坯体进行加工后处理,得到10B富集的ZrB2溅射靶材;
所述步骤1)采用碳热还原反应制备10B富集的ZrB2粉体,利用纯度均大于99.9%的ZrO2、10B富集的H3BO3、C及B为合成原料,且ZrO2:H3BO3:C:B的质量比为100:(100~180):(40~70):(0~5),其中,10B富集的H3BO3中10B的富集度为40~99%;将原料脱水、球磨后,于真空碳管炉中碳热还原反应得到10B富集的ZrB2粉体,其中,反应真空度小于10-1Pa,反应温度为1500~2000℃,反应时间为1~6h。
2.根据权利要求1所述的一种10B富集的ZrB2溅射靶材的制备方法,其特征在于,步骤2)中所述高强石墨模具的抗压强度大于80MPa,抗折强度大于20MPa。
3.根据权利要求1所述的一种10B富集的ZrB2溅射靶材的制备方法,其特征在于,步骤3)中所述惰性气氛是高纯氩气,纯度>99.999%。
4.根据权利要求1所述的一种10B富集的ZrB2溅射靶材的制备方法,其特征在于,步骤4)中所述加工后处理是利用树脂基金刚石砂轮进行平面磨削,电火花进行切割,超声洗涤脱除磨削污染,真空干燥进行烘干。
5.一种权利要求1制备的10B富集的ZrB2溅射靶材的应用,其特征在于,该靶材用于直流磁控溅射制备10B富集的ZrB2薄膜。
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