[发明专利]高线性度的相位插值器

权利要求书

1.一种高线性度的相位插值器，其特征在于，包括：

一负载电路，所述负载电路连接一等电位端；

一差分对组，所述差分对组连接所述负载电路、一第一信号输入端、一第二信号输入端、一第三信号输入端和一第四信号输入端；

一主电流源偏置阵列，所述主电流源偏置阵列连接所述差分对组、一象限控制信号输入端、一第一相位控制信号输入端和一第一偏置电压输入端；和

两副电流源偏置阵列，两副电流源偏置阵列分别连接所述主电流源偏置阵列、一第二相位控制信号输入端和一第二偏置电压输入端；

所述副电流源偏置阵列包括：

多个第五MOS管，所述第五MOS管的栅极连接所述第二相位控制信号输入端；和

多个第四电流源管，每一所述第五MOS管的源极一一对应地连接一所述第四电流源管的漏极，所述第四电流源管的栅极连接所述第二偏置电压输入端；所述第四电流源管的源极接地；

第一副电流源偏置阵列的所述第五MOS管的漏极连接所述主电流源偏置阵列；第二副电流源偏置阵列的所述第五MOS管的漏极连接所述主电流源偏置阵列。

2.根据权利要求1所述的高线性度的相位插值器，其特征在于，所述差分对组包括四个差分对，每一所述差分对包括一第一MOS管和一第二MOS管：所述第一MOS管的漏极连接所述差分对组的一第一输出端，各所述第二MOS管的漏极连接所述差分对组的一第二输出端；

第一差分对的第一MOS管和第二差分对的第二MOS管的栅极连接所述第一信号输入端；所述第一差分对的第二MOS管和所述第二差分对的第一MOS管的栅极连接所述第二信号输入端；

第三差分对的第一MOS管和第四差分对的第二MOS管的栅极连接所述第三信号输入端；所述第三差分对的第二MOS管和所述第四差分对的第一MOS管的栅极连接所述第四信号输入端；

所述第一差分对的所述第一MOS管和所述第二MOS管的源极连接所述主电流源偏置阵列的一第一连接端；所述第二差分对的所述第一MOS管和所述第二MOS管的源极连接所述主电流源偏置阵列的一第二连接端；所述第三差分对的所述第一MOS管和所述第二MOS管的源极连接所述主电流源偏置阵列的一第三连接端；所述第四差分对的所述第一MOS管和所述第二MOS管的源极连接所述主电流源偏置阵列的一第四连接端。

3.根据权利要求2所述的高线性度的相位插值器，其特征在于，所述主电流源偏置阵列包括：

一第一开关管，所述第一开关管的漏极连接所述主电流源偏置阵列的第一连接端；

一第二开关管，所述第二开关管的源极连接所述主电流源偏置阵列的第二连接端；

一第三开关管，所述第三开关管的漏极连接所述主电流源偏置阵列的第三连接端；

一第四开关管，所述第四开关管的源极连接所述主电流源偏置阵列的第四连接端；

所述第一开关管、所述第二开关管、所述第三开关管和所述第四开关管的栅极连接所述象限控制信号输入端；

多个开关对，每一所述开关对包括一第三MOS管和一第四MOS管，所述第三MOS管和所述第四MOS管的栅极连接所述第一相位控制信号输入端；所述第四MOS管的源极连接所述第一开关管的源极和所述第二开关管的漏极；所述第三MOS管的漏极连接所述第三开关管的源极和所述第四开关管的漏极；

一第一电流源管，所述第一电流源管的漏极连接各所述第三MOS管的漏极，所述第一电流源管的栅极连接所述第一偏置电压输入端，所述第一电流源管的源极接地；

多个第二电流源管，每一所述开关对的所述第三MOS管的源极和所述第四MOS管的栅极一一对应地连接一所述第二电流源管的漏极；所述第二电流源管的栅极连接所述第一偏置电压输入端；所述第二电流源管的源极接地；和

一第三电流源管，所述第三电流源管的漏极连接各所述第四MOS管的源极，所述第三电流源管的栅极连接所述第一偏置电压输入端，所述第三电流源管的源极接地。

4.根据权利要求3所述的高线性度的相位插值器，其特征在于，

一所述第一副电流源偏置阵列的所述第五MOS管的漏极连接所述第一开关管的源极和所述第二开关管的漏极；一所述第二副电流源偏置阵列的所述第五MOS管的漏极连接所述第三开关管的源极和所述第四开关管的漏极。

5.根据权利要求1～4任一项所述的高线性度的相位插值器，其特征在于，所述负载电路包括：一第一电阻和一第二电阻，所述第一电阻连接于所述等电位端与所述差分对组的第一输出端之间，所述第二电阻连接于所述等电位端与所述差分对组的第二输出端之间。