[发明专利]一种顶发射显示发光器件及其制备方法

说明书

本发明公开一种顶发射显示发光器件及其制备方法，包括基板、位于基板上的像素电极、位于基板上的辅助电极、以及位于基板上用于分隔像素电极和辅助电极的像素bank，所述像素bank覆盖像素电极边缘区域以及辅助电极边缘区域，所述辅助电极边缘区域的像素bank形成倒角状的tape角，所述辅助电极上方依次设置有功能层和顶电极，且倒角状的tape角下端的辅助电极与其上方的顶电极相连。本发明由于将辅助电极边缘区域的像素bank的tape角设置成倒角状，从而在蒸镀功能层时形成裸露的辅助电极区，随后在沉积的顶电极会覆盖暴露出来的辅助电极，从而形成顶电极与辅助电极的相连结构，本发明的结构大大简化的制作工艺，提高了制作效率。

技术领域

本发明涉及显示领域，尤其涉及一种顶发射显示发光器件及其制备方法。

背景技术

有机电致发光二极管（OLED）具有自发光、反应快、视角广、亮度高、轻薄等优点，而量子点发光二极管（QLED）具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色易调、使用寿命长等优点，所以上述两种器件是目前显示器件研究的两个主要方向。其中，顶发射型器件由于可以获得更大的开口率，近年来成为了研究的热点。但是，顶发射器件由于需要增加光的透过率，顶电极的厚度一般较薄，导致电极方阻较大，电压降严重，会引起显示器的发光不均匀现象。

为了改善发光均匀性，往往会引入与顶电极相连通的辅助电极，通过辅助电极的高导电性来减小顶电极的电压降，以改善发光亮度的均匀性。由于辅助电极通常是不透光的，因此不能制作在发光区域上。目前，辅助电极往往通过光刻工艺或者精细金属掩膜制备，制作工艺对位精度要求高，且金属掩膜则会随着面板尺寸的增大在重力作用下形成应力弯曲，导致对位不准的问题。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种顶发射显示发光器件及其制备方法，旨在解决现有顶发射显示发光器件的辅助电极结构无法简化工艺的问题。

本发明的技术方案如下：

一种顶发射显示发光器件，其中，包括基板、位于基板上的像素电极、位于基板上的辅助电极、以及位于基板上用于分隔像素电极和辅助电极的像素bank，所述像素bank覆盖像素电极边缘区域以及辅助电极边缘区域，所述辅助电极边缘区域的像素bank形成倒角状的tape角，所述辅助电极上方依次设置有功能层和顶电极，所述像素电极上方依次设置有发光层、功能层和顶电极，且倒角状的tape角下端的辅助电极与其上方的顶电极相连。

所述的顶发射显示发光器件，其中，所述像素电极边缘区域的像素bank的tape角为30-60°。

所述的顶发射显示发光器件，其中，所述辅助电极边缘区域的像素bank的tape角大于90°。

所述的顶发射显示发光器件，其中，所述发光层为聚合物发光层或小分子发光层。

所述的顶发射显示发光器件，其中，所述功能层依次包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层以及激子阻挡层；或者，所述功能层依次包括电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层以及激子阻挡层。

所述的顶发射显示发光器件，其中，所述像素电极包括反射金属薄薄与位于反射金属薄膜上方的透明导电薄膜。

所述的顶发射显示发光器件，其中，所述反射金属薄薄为Al、Ag或其合金。

所述的顶发射显示发光器件，其中，所述透明导电薄膜为ITO或IZO。

所述的顶发射显示发光器件，其中，所述基板为刚性基板或柔性基板。

一种如上所述的顶发射显示发光器件的制备方法，其中，包括步骤：

A、提供一基板，并在基板上制作图案化的像素电极以及辅助电极；