[发明专利]一种顶发射显示发光器件及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201611225243.0 申请日: 2016-12-27
公开(公告)号: CN106856203B 公开(公告)日: 2020-02-07
发明(设计)人: 陈亚文 申请(专利权)人: TCL集团股份有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 44268 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人: 王永文;刘文求
地址: 516006 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 发射 显示 发光 器件 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种顶发射显示发光器件,其特征在于,包括基板、位于基板上的像素电极、位于基板上的辅助电极、以及位于基板上用于分隔像素电极和辅助电极的像素界定层,所述像素界定层覆盖像素电极边缘区域以及辅助电极边缘区域,所述辅助电极边缘区域的像素界定层形成倒角状的夹角,所述辅助电极上方依次设置有功能层和顶电极,所述像素电极上方依次设置有发光层、功能层和顶电极,且倒角状的夹角下端的辅助电极与其上方的顶电极相连;

所述辅助电极边缘区域的像素界定层的夹角大于90°。

2.根据权利要求1所述的顶发射显示发光器件,其特征在于,所述像素电极边缘区域的像素界定层的夹角为30-60°。

3.根据权利要求1所述的顶发射显示发光器件,其特征在于,所述发光层为聚合物发光层或小分子发光层。

4.根据权利要求1所述的顶发射显示发光器件,其特征在于,所述功能层依次包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层以及激子阻挡层;或者,所述功能层依次包括电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层以及激子阻挡层。

5.根据权利要求1所述的顶发射显示发光器件,其特征在于,所述像素电极包括反射金属薄膜与位于反射金属薄膜上方的透明导电薄膜。

6.根据权利要求5所述的顶发射显示发光器件,其特征在于,所述反射金属薄膜为Al、Ag或其合金。

7.根据权利要求5所述的顶发射显示发光器件,其特征在于,所述透明导电薄膜为ITO或IZO。

8.根据权利要求1所述的顶发射显示发光器件,其特征在于,所述基板为刚性基板或柔性基板。

9.一种如权利要求1所述的顶发射显示发光器件的制备方法,其特征在于,包括步骤:

A、提供一基板,并在基板上制作图案化的像素电极以及辅助电极;

B、在基板上制作像素界定层,所述像素界定层覆盖像素电极边缘区域以及辅助电极边缘区域,其中,辅助电极边缘区域的像素界定层成倒角状的夹角;

C、在像素电极上沉积发光层;

D、在显示区域蒸镀功能层;

E、最后采用ALD工艺沉积顶电极,且倒角状的夹角下端的辅助电极与其上方的顶电极相连。

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