[发明专利]可挠热电结构与其形成方法

权利要求书

1.一种可挠热电结构，包括：

多孔热电图案；以及

高分子膜覆盖该多孔热电图案的上表面，

其中该高分子膜填充该多孔热电图案的孔洞，且该高分子膜的下表面与该多孔热电图案的下表面共平面，

其中该多孔热电图案中水平堆叠的片状热电材料连结成连续相。

2.如权利要求1所述的可挠热电结构，其中该高分子膜的组成为聚亚酰胺或聚偏二氟乙烯。

3.如权利要求1所述的可挠热电结构，其中该多孔热电图案的组成为Bi₂Te₃系列、PbTe系列、GeTe系列、Zn₄Sb₃系列、或CoSb₃系列。

4.如权利要求1所述的可挠热电结构，其中该高分子膜未盖覆该多孔热电图案的下表面。

5.一种可挠热电结构的形成方法，包括：

形成一热电油墨的图案于一基材上；

热处理该热电油墨，以形成一多孔热电图案于该基材上；

将一胶态的高分子涂布于该多孔热电图案与该基材上，并固化该胶态的高分子以形成一高分子膜，其中该多孔热电图案与该高分子膜组成一可挠热电结构；以及

分离该基材与该可挠热电结构，

其中该高分子膜覆盖该多孔热电图案的上表面，该高分子膜填充该多孔热电图案的孔洞，且该高分子膜的下表面与该多孔热电图案的下表面共平面，

其中该多孔热电图案中水平堆叠的片状热电材料连结成连续相。

6.如权利要求5所述的可挠热电结构的形成方法，其中该高分子膜的组成为聚亚酰胺或聚偏二氟乙烯，且该多孔热电图案的组成为Bi₂Te₃系列、PbTe系列、GeTe系列、Zn₄Sb₃系列、或CoSb₃系列。

7.如权利要求5所述的可挠热电结构的形成方法，其中该高分子膜未盖覆该多孔热电图案的下表面。

8.如权利要求5所述可挠热电结构的形成方法，其中该胶态的高分子与该多孔热电图案的热电材料之间的湿润角介于15°至45°之间。